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ID:scu_hth
行业:其他
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ID:shxie
原文由 scu_hth 发表:首先祝大家圣诞快乐、新年快乐! 我向大家请教的问题是如何用HRTEM表征掺杂纳米氧化物半导体。基体为10nm左右的纳米氧化物,掺杂相为稀土离子,在基体内分布比较均匀,但是无定形的。做HRTEM的目的在于想确定无定形掺杂相在基体中的位置,是间隙掺杂还是取代掺杂。另外,用哪种HRTEM较好,LaB6 HRTEM、FEG HRTEM 还是STEM? 欢迎大家不吝赐教!谢谢先!
原文由 shxie 发表:也只能用FEG STEM试试了,我的意思是用HADDF来做,不过看起来似乎很难有好结果。
原文由 scu_hth 发表:我在网上查找半天,就只找到金属所里有一个Tecnai G2 F30可以测试HAADF.不知其它什么地方还可以测试HAADF?
ID:ustb
原文由 ustb 发表:上海硅酸盐研究所也有
原文由 scu_hth 发表:谢谢大家回复的信息! 再向大家请教如下问题:HAADF图像较之于一般HRTEM图像在分析方法上有什么不同吗?需要图像重构吗?用什么软件比较好呢?谢谢先!
原文由 ustb 发表:HAADF像反映的是原子序数衬度,它最大的优点就是解释起来比较容易,没听说过HAADF做重构,你可以看一下这个帖子,http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20051115/276306/,gamexxp版主介绍了HAADF的一些知识。
原文由 scu_hth 发表:谢谢ustb!最近看一篇关于HAADF的文章中提到焦距、样品厚度和内探测器角都将影响HAADF-STEM图像的衬度,需要进行适当的计算处理,该文在附件中,供大家参考。我先拜读完gamexxp的帖子后再来和大家探讨。