快速导航采购仪器提醒

透射电镜（TEM）

版主:

入住本版

专家:

仪器信息网

居民列表

仪器社区 > 显微镜 > 透射电镜（TEM）帖子详情

快速回复发表新帖最新帖

返回列表

主题：[求助]关于截面外延薄膜样品，位错伯格斯矢量的测定，用JEOL2010。

浏览0 回复3 电梯直达

michaelzing

结帖率：

100%

关注：0 |粉丝：0

新手级：新兵

发表于：2006/05/09 15:20:00 楼主管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

[求助]本人近日要用JEOL2010做关于外延材料位错的东西，请教。

材料是蓝宝石上外延的GaN薄膜，位错的伯格斯矢量希望通过汇聚束得到，
有以下需要帮助的，或有疑问的，请大哥大姐们不吝赐教：

经典的Cherns和Preston的关于会聚束测伯格斯矢量文章无处可得？！
如果谁有，请发附件，或是发我邮箱lonelyguy1998@sina.com 。

JEOL2010是否适合做会聚束，我们的2010没有特别的附件，平时主要做HR-TEM?
是否只是无法做"ＬＡ"CBED?

还有，聚得很小的电子束会不会损坏GaN样品？

0
赞贴
3
回帖
0
收藏
0
拍砖
版主
招募

为您推荐

近期热榜

热门活动

您可能想找: 气相色谱仪(GC) 询底价

选参数看心得找厂商查方案

专属顾问快速对接

立即提交

相关阅读

怪味陈皮

结帖率：

100%

关注：0 |粉丝：0

新手级：新兵

2006/5/9 20:08:00 沙发管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

我用2011UHR做过会聚束，效果不好，只能做全图。

赞贴

拍砖

Jin

禁止发帖修改昵称

ID：querida

行业：其他

积分：0升级还需100积分

声望：0升级还需100声望

注册时间：0000-00-00

最后登录时间：0000-00-00

进入iLog 私信关注

结帖率：

100%

关注：0 |粉丝：0

新手级：新兵

2006/5/9 20:47:00 板凳管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

不知道GaN这种半导体导电好不好，而且N，是不是会想O那样，很容易被打掉。我作ZnSe时是不错的。
我同学有用2010作一个什么准晶里面位错的b矢量方面的问题，从汇聚束的效果来看还行，不过没有最后解决她老板想要的结果。

赞贴

拍砖

michaelzing

禁止发帖修改昵称

ID：MichaelZing

行业：其他

积分：0升级还需100积分

声望：0升级还需100声望

注册时间：0000-00-00

最后登录时间：0000-00-00

进入iLog 私信关注

结帖率：

100%

关注：0 |粉丝：0

新手级：新兵

2006/5/11 19:15:00 马扎管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

大家请再多指教一点啊。

GaN应该比氧化物稳定得多，
平时衍衬，高分辨都没有问题，只是不知会聚束得强电子会不会打坏？

还有利用CBED做伯格斯矢量，容易吗？
我是说用2010拍的话，容易得到想要的清晰照片吗？

再就是，样品的厚度可能偏厚，做衍衬可以清楚看到位错，
但是g.b时消光不是很彻底，
我的意思是：不是没有踩到应有的衍射方向，
而是在想要的区域内图像不均匀，
应该是样品偏厚，

可是找到的位错分布可遇不可求啊，样品不能再减薄了，
这种样品偏厚的情况可以拍出比较理想的照片吗？

我的要求只是定出伯格斯矢量，不要大范围的CBED照片。

大侠请教了。
也不知道我说清楚没有。

赞贴

拍砖