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主题：【第十三届原创】去蔟电压和裂解电压

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歪果仁zZ
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Joy in share 发表于：2020/07/26 21:36:36 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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去蔟电压和裂解电压

我们在仪器社区经常看到版友对AB质谱的参数DP电压和CE电压产生疑惑，例如“标准里是去蔟电压，而仪器需要填的是裂解电压，这不是一回事呀，可如何是好”、“去蔟电压一般设置多大合适？裂解电压呢？”今天我们为大家详细的总结和梳理三重四级杆质谱仪上DP电压和CE电压的含义及工作原理。

DP电压是AB家质谱仪在设置质谱电压条件时需要摸索的一个重要电压，DP电压即Declustering Potential，通常我们称之为去蔟电压或接蔟电压，其字面含义就是将聚成团或簇的分子、离子驱散开，该电压是设置在离子源内部喷针头上，这样更适合分子电离成离子，减少分子聚团或聚簇对离子化产生的影响，主要是影响离子进入质谱的速度。锥孔电压高，离子速度快，离子损失小，检测灵敏度高。反之则相反。过高的锥孔电压会增加离子间的碰撞，引起源内裂解，产生碎片离子。通常再25－70V之间优化。低分子量选用低电压，高分子量选用高电压。在我们平常使用中发现API4000的接蔟电压一般为80以下，API5500的接蔟电压要高于API4000，一般100左右。将接蔟电压优化好后，可将同样浓度的目标物的响应提高10-20倍。见下图。



CE电压是AB质谱仪在设置质谱电压条件时需要摸索的一个重要电压，CE电压即Collision Energy，通常我们称之为裂解电压或碎裂电压，其字面含义就是将带电离子施加电压，使易脱落的结构掉落，属于质谱的二级碰撞池里的碰撞电压了，这是为了使母离子经碰撞产生最优的子离子而设的参数，一般某个碎裂电压可产生多个碎片离子，而产生多个碎片离子的原因可能是相同母离子数的离子太多，造成对我们目标物定性及定量的干扰。因此我们在摸索质谱电压条件时，最难的部分其实是利用Chemdraw画出易脱落的碎片后，预知碎片离子的分子量。一般我们认为五环结构易开裂、醚键或酮键更易断裂,见下图。在摸索碎片时，如果想获得低分子量的结构断裂，那么碎裂电压可设置在10-25V内，如果想获得高分子量的结构断裂，那么碎裂电压可设置在30-50V内。寻找碎片离子也可以查阅文献报道，但母离子是加合的分子量，我们认为该结构不稳定，建立的方法学可能会受到影响。

最后感谢仪器信息网提供原创大赛供我们交流进步！文中有任何错误欢迎各位老师指正！











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2020/8/3 15:27:31 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
学习了两种电压的概念，谢谢分享。
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zhangy
zhangy8627
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2020/8/6 10:26:28 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
谢谢分享，学习了
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kog102
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2020/8/6 11:29:19 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
不同品牌液质这两个名称叫法有差异，A家前端叫源内碎裂电压，后面的叫碰撞气能量。
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