【序号】:1
【作者】:谷文萍 张进成 张林 徐小波 刘盼芝
【题名】:GaN基材料和器件的质子辐照效应
【期刊】:《半导体技术》 |
【年、卷、期、起止页码】:2016年 第7期
【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/91661X/201607/669326146.html【序号】:2
【作者】:
蔡伟智【题名】:
GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响【期刊】:
《半导体技术》 | 【年、卷、期、起止页码】:
2009年 第3期【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/91661X/200903/29633883.html
【序号】:3
【作者】:
王云彪 佟丽英 杨召杰 陶术鹤【题名】:
氮化镓外延用硅衬底问题研究【期刊】:
《电子工艺技术》【年、卷、期、起止页码】:
2018年 第1期 | 【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/95687X/201801/674735578.html
【序号】:4
【作者】:吕玲
【题名】:GaN基半导体材料与HEMT器件辐照效应研究
【期刊】:西安电子科技大学
【年、卷、期、起止页码】:2014年
【全文链接】:http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10701-1014324960.htm
【序号】:5
【作者】:
胡培培【题名】:Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究
【期刊】:
中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所) 博士论文 【年、卷、期、起止页码】:
2019年【全文链接】:http://xuewen.cnki.net/ArticleCatalog.aspx?filename=1019655850.nh&dbtype=CDFD&dbname=CDFDLAST2019