原文由 tao______ 发表:
人气真的不旺哦,大家都把玉藏起来了?看来我只能继续抛砖了,OK ,再请教一个关于SDD探测器的问题:
能量分辨率,请问任大侠,最新的SDD探测器的分辨率是否真的能够达到125ev?谢谢了
看起来很简单的问题,其实大不然,我认为四个主要原因导致了这个革命性的业界新指标125EV, 所有 SILI探头的分辨率都是和死时间和输入计数率绑在一起推出的, 只有这个 BRUKER的 XFLASH SDD探头可以不计 死时间和 计数率的影响, 这里 BRUKER还是很谦虚的, 他们说从0到100KCPS分辨率可以保证在125EV不变。
四个原因
1, SDD硅片的电子空穴对成形时间短, 从 X射线辐射到达 SDD芯片的有效检测区域,(XFLASH4010型是 10平方毫米, 最新推出的 4030型是30平方毫米, 4040型就是 QUAD 是4乘10平方毫米,)这个事实直接导致了X射线脉冲成形事件的缩短,所以 脉冲堆积率就会大大地降低,叫PILE UP REJECTION,死时间可以被控制的很小, 硅片的误操作率由此大大地降低,保证了稳定的高分辨率。
2,SDD芯片和 场效应晶体管 FET合二为一,电子学上两个原件的电容大大地减低,导致了脉冲成形时间的缩短,也就是保证了高速的脉冲处理速度,
3,FET被放置在 水滴状SDD芯片的尖端部位, FET电子原件远离X射线辐射,降低了噪音的影响。
4, 专利脉冲复位技术,在一定时间内定期复位X射线脉冲,保证了脉冲处理的准确性。
上传一张脉冲复位图示,希望可以帮助理解
上传一张图,可以看出SDD对比 SILI的分辨率分别
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