主题:【求助】测高纯二氧化硅(5个9)中的P、B那家的ICP-MS好啊?

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wwmjczx
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我们公司最近要我调研ICP-MS,主要测高纯二氧化硅(5个9)中的P、B含量,溶液中含量大约在1ppb-5ppb,硅基体约1%-2%,要想基体小,定容体积大的话,溶液中含量会更低,不知那家的ICP-MS更适合我们用,请各位高手指教!谢谢了!
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nps
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硅基体中的B、P我们也在做,B还行,P不好做,我们用的7500CS
QQ
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原文由 nps 发表:
硅基体中的B、P我们也在做,B还行,P不好做,我们用的7500CS

我们的PE的elan 9000
风起云飘舞
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涉足不深,还不清楚,什么叫可以做什么叫不可以做,只知道拉曲线都可以,仪器方法检测限曾经硼做到2ppt,磷做到40ppt,不知道可不可能啊。用的是7500cs
lilongfei14
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ICP-MS每家的设备都是一样,与测定元素无关,主要是设备的精密度,比如ICP,那家的测定元素范围都是一样的。
uuu_hgx
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我们已经购买了PE的ELAN DRCII,主要测的也是高纯硅中的B和P。还没开始培训,不知道这个设备究竟怎么样呢
ellayin
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当然是7500cs好咯,人家是专门做这个的,据我所知我们行业里很多家都是用这个7500cs产品的。呵呵~
kiwi-kids
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原文由 wwmjczx 发表:
我们公司最近要我调研ICP-MS,主要测高纯二氧化硅(5个9)中的P、B含量,溶液中含量大约在1ppb-5ppb,硅基体约1%-2%,要想基体小,定容体积大的话,溶液中含量会更低,不知那家的ICP-MS更适合我们用,请各位高手指教!谢谢了!


2%的硅基体还是很高的,即便使用微量雾化器,基体效应还是非常强
最好还是保证500倍左右的稀释倍数最好

B比较容易测,一般的实验室条件(非超净),空白都可以做到0.1ppb以下,在这个浓度上或低上几倍定量更是没有问题了。

P是非常难做的元素,有的用户直接测定,有些采用氦气碰撞池,有些采用氧气做,总体来看检出限都很差,在P的分析中,更应该观察空白水平,空白低,线性才能做的更低些。从空白水平上看,应该是氧气<氦气<常规模式。
但是由于P的主要干扰来自NOH等干扰,这些干扰在不同仪器上水平并不完全一致,氧气模式比较有效,但是操作麻烦,并且只能应用少数几个元素,氦气模式大大降低了轻元素灵敏度,实际效果也不很理想。

nps
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确实,2%的基体浓度偏高了,看了一篇文献,用2000ppm的基体,做的金属杂质。
ykll20062006
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