主题:每周一问2:恐怕谈及电镜这是最经典的话题:形貌和成分

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shxie
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原文由 semuser 发表:
单纯的形貌像是可以得到的,用半导体式背散射探头的形貌像模式可以得到样品单纯的起伏像,也就是形貌像,但图像起伏效果显得比较圆滑,真实度不如二次电子像;
浅层像,我理解是低加速电压二次电子像;
纯的成分像有点麻烦,背散射探头的成份像模式依然含有形貌信息,好像只有能谱的面分析时有纯的成分像。
老大,何时有答案?

嗯,二次电子像就是要将电压降下来,是减少其他信号的干扰吧,BSE信号是高压的时候才比较强的。
renxin
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原文由 semuser 发表:
单纯的形貌像是可以得到的,用半导体式背散射探头的形貌像模式可以得到样品单纯的起伏像,也就是形貌像,但图像起伏效果显得比较圆滑,真实度不如二次电子像;
浅层像,我理解是低加速电压二次电子像;
纯的成分像有点麻烦,背散射探头的成份像模式依然含有形貌信息,好像只有能谱的面分析时有纯的成分像。
老大,何时有答案?

你的回答再加上      SEANWEN朋友和  SHXIE斑竹的答案  ,  应该就是答案,  我也在学习呦。
不过二次电子像对加速电压并不敏感,但如SHXIE斑竹所说, 可以减少BSE的干扰。
30KV的纯二次电子像和1KV的差别真的不大。
纯成分像只有在样本没有任何形貌的情况下才能得到。
请继续指教。
shxie
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没有任何形貌指得是光滑膜表面吧?这个要观察形貌像也比较麻烦,需要把样品台倾转一下的吧。
30Kv和1Kv的二次电子像差别在于信噪比吧,质感不同啊,我一般都用高电压,低电压太痛苦了,不过你用的场发射感觉差别不大也正常。
semuser
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高低加速电压的二次电子像还是有区别的,看纳米管、薄膜等较薄样品时很明显,加速电压一高,可看到样品下面的东西。
renxin
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原文由 shxie 发表:
没有任何形貌指得是光滑膜表面吧?这个要观察形貌像也比较麻烦,需要把样品台倾转一下的吧。
30Kv和1Kv的二次电子像差别在于信噪比吧,质感不同啊,我一般都用高电压,低电压太痛苦了,不过你用的场发射感觉差别不大也正常。

是的,没有形貌就是平板一块,  不过倾斜样本只能增加信号强度, 平板一块还是平板。
是的, 高压SE像噪音较低压低, 不过SE信号强度基本一样呦。
SeanWen
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原文由 renxin 发表:
是的,没有形貌就是平板一块,  不过倾斜样本只能增加信号强度, 平板一块还是平板。
是的, 高压SE像噪音较低压低, 不过SE信号强度基本一样呦。


对凹凸不平的表面从上往下看可能看不出高度与深度,倾斜后会比较明显,曾经在网上看过这样的资料。KEYENCE的说明书上说在看表面细节的时候最好用较低的加速电压,这些细节会在大加速电压下损失掉,我试过一下,但好像没凑效。
renxin
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原文由 semuser 发表:
高低加速电压的二次电子像还是有区别的,看纳米管、薄膜等较薄样品时很明显,加速电压一高,可看到样品下面的东西。

您没有看  SHXIE的第三张贴, 二次电子只在  5-10NM层, 高加速电压是看得深没错, 可看到的不是二次电子呦。
renxin
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原文由 SeanWen 发表:
原文由 renxin 发表:
是的,没有形貌就是平板一块,  不过倾斜样本只能增加信号强度, 平板一块还是平板。
是的, 高压SE像噪音较低压低, 不过SE信号强度基本一样呦。


对凹凸不平的表面从上往下看可能看不出高度与深度,倾斜后会比较明显,曾经在网上看过这样的资料。KEYENCE的说明书上说在看表面细节的时候最好用较低的加速电压,这些细节会在大加速电压下损失掉,我试过一下,但好像没凑效。

没错, 只要有形貌,  倾斜样本  看到的是很不一样,  因为ET检测器的检测角度变了。
正像SHXIE斑竹说的一样,低电压工作很痛苦, 原因是信噪比太低。
不过据我的经验,  你越能忍受噪音,    坚持工作, 最后得到的  图像就越 清晰。
这种低信噪比的情况  在高倍照相的时候也会出现, 原因不一样呦。
shxie
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原文由 SeanWen 发表:
对凹凸不平的表面从上往下看可能看不出高度与深度,倾斜后会比较明显,曾经在网上看过这样的资料。KEYENCE的说明书上说在看表面细节的时候最好用较低的加速电压,这些细节会在大加速电压下损失掉,我试过一下,但好像没凑效。

这种细节损失指的是分辨率足够高的时候吧,一般的电镜能看到吗?
shxie
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原文由 renxin 发表:
不过据我的经验,  你越能忍受噪音,    坚持工作, 最后得到的  图像就越 清晰。
这种低信噪比的情况  在高倍照相的时候也会出现, 原因不一样呦。

是啊,如果能慢扫,得到的图片还是很不错的,但是你怎么能保证慢扫的时候样品一点都不漂移?还是很难的。
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