主题：低能电子显微镜术及其应用

4.3    其他

    LEEM的研究对象常是金属和半导体材料，对绝缘体材料，则会出现电荷累积以及对比度和强度损失等问题，但对厚度较薄的绝缘体薄膜，这些问题并不严重．Tmmp等人研究过CaF2溜(111)界面位错形成情况[6]，发现在700℃生长过程中CaF2的LEEM成保质量很好，没有出现电子束引起的畸变他们认为这归因于电子束能量很低。

在研究As在Si(111)衬底上的外延生长过程中，Tromp等还发现LEEM不仅能将表面结构成保，还能将As岛与Si(111)之间的原于台阶及位错等界面结构成像lz6J．因为这些界面结构所引起的应力场造成反射电子波位相发生局域变化，从而在物镜轻微散焦的状态下产生根好的对比度。
 
  到目前为止，实空间成像技术已形成一个系列，其分辨率从原子量级到微米量级、每一种手段各有优点，也存在其短处．LEEM的思想虽然30多年前就提出了，但在表面显微术家族中还是个新成员，现在国际上只有三、四台LEEM仪器在出结果，研究所涉及的体系很有限．今后LEEM仪器的发展主要集中在两个方面；一是使之能诺化，具备化学成分辨识能力；二是简化仪器配备，使之成本降低、操作简便，以利于比EM的普及和应用．而LEEM图像分析，在图像的正确理解和图像对比度的定量分析等方面，都有大量的工作要做．总之，随着LEEM的发展和普及，其应用将更加广泛．更多的新现象将会被发现。

参 考 文 献

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[11]G.F.Rempfer,O.H.Griffith,Ultramicroscopy,47(1992),35.
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