主题:【讨论】求助离子迁移谱与飞行时间质谱的区别

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vipjph
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离子迁移谱和飞行时间质谱 都是依靠时间来确定物质,前者依靠迁移率来分辨,后者依靠质荷比判定。
哪位分析下二者的区别,是不是飞行时间质谱在常压下,原理就与离子迁移谱一样了。
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花开见我
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两者原理都不同啊。
飞行时间质谱(TOF)是需要在高真空下运行的。
千层峰
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vipjph
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原文由 花开见我(cai008) 发表:
两者原理都不同啊。
飞行时间质谱(TOF)是需要在高真空下运行的。


如果把TOF加以改进,使其在低真空条件下运行,是不是就需要考虑离子迁移率的问题了。
另外,我是搞理论研究的,对应用了解甚少,能否帮忙解答下,TOF和IMS的应用场景有什么不同。比如TOF只能用在什么场合,IMS只能用在什么场合。
vipjph
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原文由 千层峰(jxyan) 发表:
这里都是用四级杆的多。。。


能否帮忙解答下四级杆和IMS的应用场景有什么不同。
我是搞理论研究的,刚刚涉足质谱这个行当,对应用了解甚少,多多指教。
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2015/11/24 20:25:19 Last edit by v3021376
花开见我
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原文由 vipjph(v3021376) 发表:
如果把TOF加以改进,使其在低真空条件下运行,是不是就需要考虑离子迁移率的问题了。
另外,我是搞理论研究的,对应用了解甚少,能否帮忙解答下,TOF和IMS的应用场景有什么不同。比如TOF只能用在什么场合,IMS只能用在什么场合。


两者产生的离子方式不同。
IMS是使用放射源,再加入一定的加合物。离子迁移是离子本身的特性,与电场强度无关。
TOF则采用化学电离,电子电离等方式进行。离子在脉冲电场下加速,根据质荷比分离。
TOF需要高真空,不然干扰太大,可能根本没法检测。
网上找的答案,不对之处请见谅。
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