主题:【活动】积分商城京东卡申领活动第二期(获奖结果已发布)

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用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住,此时万用表的指针基本保持不动,阻值接近无穷大.此值越大说明光敏电阻性能越好.若此值很小或接近为零,说明光敏电阻已烧穿损坏,不能再继续使用。
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将一光源对准光敏电阻的透光窗口,此时万用表的指针应有较大幅度的摆动,阻值明显减小,此值越小说明光敏电阻性能越好.若此值很大甚至无穷大,表明光敏电阻内部电路损坏,也不能再继续使用。
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将光敏电阻透光窗口对准入射光线,用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动,使其间断受光,此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动.如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动,说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。
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光敏晶体管通常指光敏二极管和光敏三极管,它们的工作原理也是基于内光电效应,和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上,PN结参与了光电转换过程。
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光敏二极管的结构和普通二极管相似,只是它的PN结装在管壳顶部,光线通过透镜制成的窗口,可以集中照射在PN结上。
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PN结加反向电压时,反向电流的大小取决于P区和N区中少数载流子的浓度,无光照时P区中少数载流子(电子)和N区中的少数载流子(空穴)都很少,因此反向电流很小.但是当光照PN结时,只要光子能量h大于材料的禁带宽度,就会在PN结及其附近产生光生电子.空穴对,从而使P区和N区少数载流子浓度大大增加,它们在外加反向电压和PN结内电场作用下定向运动,分别在两个方向上渡越PN结,使反向电流明显增大.如果入射光的照度变化,光生电子.空穴对的浓度将相应变动,通过外电路的光电流强度也会随之变动,光敏二极管就把光信号转换成了电信号。
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当光敏三极管的集电结反向偏置,发射结正向偏置.无光照时仅有很小的穿透电流流过,当光线通过透明窗口照射集电结时,和光敏二极管的情况相似,将使流过集电结的反向电流增大,这就造成基区中正电荷的空穴的积累,发射区中的多数载流子(电子)将大量注人基区,由于基区很薄,只有一小部分从发射区注入的电子与基区的空穴复合,而大部分电子将穿过基区流向与电源正极相接的集电极,形成集电极电流IC.这个过程与普通三极管的电流放大作用相似,它使集电极电流IC是原始光电流的(l β)倍.这样集电极电流IC将随入射光照度的改变而更加明显地变化。
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在入射光照度一定时,光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化,一种光敏晶体管只对一定波长范围的人射光敏感,这就是光敏晶体管的光谱特性。
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当入射光波长增加时,相对灵敏度要下降,这是因为光子能量太小,不足以激发电子—空穴对.当人射光波长太短时,光波穿透能力下降,光子只在半导体表面附近激发电子—空穴对,却不能达到PN结,因此相对灵敏度也下降.
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不同材料的光敏晶体管,光谱峰值波长不同.硅管的峰值波长为0.9μm左右,锗管的峰值波长为1.5μm左右.由于锗管的暗电流比硅管大,因此锗管性能较差.因此在探测可见光或赤热物体时,多采用硅管.但对红外光进行探测时,采用锗管较为合适。
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