主题:【已应助】关于仪器各部件温度的设置关系和影响

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气相气质联用仪,在设置GC程序升温时的最高温度时,可不可以比离子源的温度高,比如我的气相程序升温最高是240℃,离子源230℃,这样会不会因为之间的温度差造成离子源和借口的污染,接口温度和离子源等温230℃
最佳答案:JOE HUI回复于2020/12/02
不会因为之间的温度差造成离子源和借口的污染,因为还要设置传输线的温度,温度也是保持230℃
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不会因为之间的温度差造成离子源和借口的污染,因为还要设置传输线的温度,温度也是保持230℃
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柱箱温度和离子源的温度没有很必然的联系。
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气相程序升温最高温度可以高于离子源温度,不会对离子源或者真空期造成污染等影响
symmacros
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没有关系。柱子温度可以设置300堵,离子源230度也无问题。除非对于某些高沸点化合物,例如多环芳烃,可以适当把离子源温度提高(在允许范围内),峰形会好一些。
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气相气质联用仪,在设置GC程序升温时的最高温度时,可以比离子源的温度高,不会因为之间的温度差 直接 造成离子源的污染,一般还是看物质,和温度偏差影响不大。
Insm_23185b0
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气相的温度可以比离子源的温度高,不会造成离子源的污染。
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离子源处在高真空的环境中,230度足以让300度沸点以下的物质气化,无需担心;倒是接口温度可以适当的比最后温度高一点
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OK 谢谢啦,昨天看到一个标准,所以有了疑惑,感谢大家的帮助
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