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原文由 123(m3149125) 发表:边带峰的位置：边带峰的位置与测试时的转速有关。转速越高，边带峰通常越小，且离样品峰越远。边带峰通常对称地出现在样品峰的两侧，并且它们的位置是旋转频率的倍数 。边带峰的大小：边带峰的大小与样品的特性有关。有些样品可能几乎没有边带峰，而有些样品的边带峰可能非常明显 。边带峰的形态：边带峰的形态通常与样品峰相似，但强度较低。在一些情况下，边带峰可能因为重叠而难以区分 。转速的影响：通过改变转速，可以观察到边带峰的变化。如果提高转速，边带峰会变小并且远离样品峰，这有助于区分样品峰和边带峰 。边带抑制技术：使用边带抑制技术，如TOSS（Total Suppression of Spinning Sidebands）可以抑制边带峰，从而获得没有边带峰干扰的谱图。通过比较抑制前后的谱图，可以帮助识别边带峰 。化学位移：边带峰的化学位移通常与主峰的化学位移相近，但因为它们是由样品旋转产生的，所以它们的位置会根据旋转频率的倍数而变谢谢你的解答
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