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主题：【求助】请教GaAs脱氧工艺

浏览0 回复4 电梯直达
wu_yan
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发表于：2009/03/04 16:09:58 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
本人长期做II-VI族分子束外延，对III-V族不大了解，因此向各位高手请教：
1、GaAs脱氧时衬底真实温度是否在600C附近，如何脱氧？曾听说脱氧过程中需要喷As以防止表面As的挥发，避免形成Ga滴，是否如此？
2、如何判断100晶向衬底脱氧结束？是否应该等再构出现才基本可以判断，什么再构，2*3还是3*2？如何计算脱氧时间？
我曾经在211晶向的GaAs衬底上脱氧，未喷As，也未出现再构，同样可以外延好的样品，以上两点疑问是否属实，望各位分子束外延高手帮忙解答。
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2009/3/19 14:40:52 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
楼主的第一个问题我可以回答，在脱氧时是要打开As，因为GaAs在高于600度时就变的不稳定，As会解吸附，所以要打开As cell，保证脱氧后表面的平整。
我也想请教楼主表面的（2*3），也又听说过（2*4）再构，那是什么意思。
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liuzgsemi
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2009/3/19 14:45:21 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我看过楼主的很多回复，知道楼主对MBE很有研究，有机会大家可以讨论一下啊。我的E-mail：liuzgzgbq@hotmail.com。
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tjzy23
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2009/4/1 10:59:16 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
1.SI-GaAs脱氧温度580度，重掺杂GaAs脱氧温度600度。
必须在As保护下进行脱氧
2.RHEED下观察，出现明显衍射条纹，即开始脱氧
脱氧时间一般为10-20分钟。
3.未听过没有As保护下的脱氧
4.同问再构问题

原文由 wu_yan 发表:
本人长期做II-VI族分子束外延，对III-V族不大了解，因此向各位高手请教：
1、GaAs脱氧时衬底真实温度是否在600C附近，如何脱氧？曾听说脱氧过程中需要喷As以防止表面As的挥发，避免形成Ga滴，是否如此？
2、如何判断100晶向衬底脱氧结束？是否应该等再构出现才基本可以判断，什么再构，2*3还是3*2？如何计算脱氧时间？
我曾经在211晶向的GaAs衬底上脱氧，未喷As，也未出现再构，同样可以外延好的样品，以上两点疑问是否属实，望各位分子束外延高手帮忙解答。
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wu_yan
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2009/4/1 12:51:15 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
看来楼上也是做过III-V族MBE的。请教哪个研究所的？谢谢
不明白“Si-GaAs脱氧温度580C”是何意思，Si的脱氧温度一般要1250C，采用低温衬底处理技术，脱氧温度一般也要800C。GaAs的脱氧温度是582C。
你说的这些我基本都明白，主要是想请教再构问题。

我的Email:wu_yan@mail.sitp.ac.cn。
欢迎经常联系。
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