主题:【仪器微课堂】CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE

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CREECMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC);选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较,GaN-on-SiC具有更加优异的性能;砷化镓或硅基氮化镓;包含更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。CMPA1D1E025 选用 10 导线;25 mm x 9.9 mm;金属/陶瓷法兰盘封装能够实现最理想的电气设备和热稳定性。

特征

24 dB 小信号增益值

40 W 典型脉冲信号 PSAT

额定电压高至 40 V

OQPSK 20 W 线性功率

A/B类高增益;高效率 50 Ω MMIC Ku 频率段高功率放大器

应用领域

军工用和商用 Ku 波段雷达

产品规格

描述:25瓦;13.75 14.5 GHz40VKu 波段 GaN MMIC 功率放大器

最低频率(MHz)13500

最高频率(MHz)14500

最高值输出功率(W)25

增益值(dB)26.0

工作效率(%):16

额定电压(V)40

类型:封装的MMIC

封装类别:法兰盘

技术:GaN-on-SiC

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!
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