原文由 anite1984 发表:
同问~
听做电镜的老师说,用SEM配的EDS打成分,只适用于颗粒大于多少的样品(记不清了)
有哪位大侠能告知吗?
TEM 中能谱是不是有同样的限制呢?
谢谢谢谢
原文由 amoslau 发表:原文由 anite1984 发表:
同问~
听做电镜的老师说,用SEM配的EDS打成分,只适用于颗粒大于多少的样品(记不清了)
有哪位大侠能告知吗?
TEM 中能谱是不是有同样的限制呢?
谢谢谢谢
首先,电子束和样品作用的关系(以20Kv加速电压的铜样品为例),电子束在样品内作用大致呈"梨"型(大致上厚度1.5微米;宽度1微米左右,当然扫描时间越短形状越小).这样也就是说在电子束激发样品的时候,X射线产生的区域为样品表面至1.5微米深,左右范围近似一微米.以上所说都是电子束在样品上一点的作用效果.
因此,即便二次电子的分辨率达到1nm,电子束作用在样品上其X射线的激发区域也是很大的,大致1个微米的分辨能力.
另外,在透射电镜中样品多为非常薄的样品,其X射线的激发不存在上述的"梨"型效果,样品的X射线激发区域分辨率能够达到2nm远远小于SEM的1个微米;建议您用投射看颗粒.个人拙见,请大侠指点.
PS:哪位大侠有Electron Flight Simulator软件能不能上传一份让大家分享啊,多谢了.
原文由 amoslau 发表:原文由 anite1984 发表:
同问~
听做电镜的老师说,用SEM配的EDS打成分,只适用于颗粒大于多少的样品(记不清了)
有哪位大侠能告知吗?
TEM 中能谱是不是有同样的限制呢?
谢谢谢谢
首先,电子束和样品作用的关系(以20Kv加速电压的铜样品为例),电子束在样品内作用大致呈"梨"型(大致上厚度1.5微米;宽度1微米左右,当然扫描时间越短形状越小).这样也就是说在电子束激发样品的时候,X射线产生的区域为样品表面至1.5微米深,左右范围近似一微米.以上所说都是电子束在样品上一点的作用效果.
因此,即便二次电子的分辨率达到1nm,电子束作用在样品上其X射线的激发区域也是很大的,大致1个微米的分辨能力.
另外,在透射电镜中样品多为非常薄的样品,其X射线的激发不存在上述的"梨"型效果,样品的X射线激发区域分辨率能够达到2nm远远小于SEM的1个微米;建议您用投射看颗粒.个人拙见,请大侠指点.
PS:哪位大侠有Electron Flight Simulator软件能不能上传一份让大家分享啊,多谢了.
原文由 zemb 发表:
楼上说的是。
你分析颗粒成分的时候用的是定点方式(点扫描),此时电子束打在一点是不动的。与扫描范围、放大倍数无关。以上所说的电子束与样品的作用范围,也只是考虑一个点,而不是在某放大倍数的扫描范围。
X射线的产生范围主要与加速电压、原子序数等有关。一般情况下束斑直径远小于这个尺寸,可以忽略不计。
束斑的大小实际上是表示电子束聚焦程度的好坏。加速电压越高更利于电子束的汇聚,束斑可能更小,这就是为什么提高加速电压可以提高分辨率的主要原因。
原文由 RENXIN 发表:原文由 zemb 发表:
楼上说的是。
你分析颗粒成分的时候用的是定点方式(点扫描),此时电子束打在一点是不动的。与扫描范围、放大倍数无关。以上所说的电子束与样品的作用范围,也只是考虑一个点,而不是在某放大倍数的扫描范围。
X射线的产生范围主要与加速电压、原子序数等有关。一般情况下束斑直径远小于这个尺寸,可以忽略不计。
束斑的大小实际上是表示电子束聚焦程度的好坏。加速电压越高更利于电子束的汇聚,束斑可能更小,这就是为什么提高加速电压可以提高分辨率的主要原因。
打住,此言差矣,严格地讲大错特错。 实在不敢相信您在如此错误的概念下操作。
束斑的大小和电子束的聚焦好坏毫无关系。大束斑和小束斑都可以得到聚焦的图像。
加速电压高低和束斑大小更无瓜葛。
加速电压高,分辨率高是不错,但不是由于提高了加速电压而缩小了束斑尺寸的原因。
看来国内的电镜理论很混淆,以讹传讹真是不假。
原文由 happydfli 发表:原文由 RENXIN 发表:
......
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打住,此言差矣,严格地讲大错特错。 实在不敢相信您在如此错误的概念下操作。
束斑的大小和电子束的聚焦好坏毫无关系。大束斑和小束斑都可以得到聚焦的图像。
加速电压高低和束斑大小更无瓜葛。
加速电压高,分辨率高是不错,但不是由于提高了加速电压而缩小了束斑尺寸的原因。
看来国内的电镜理论很混淆,以讹传讹真是不假。
我也有同感呀,觉得看到的东西说的都是五花八门,似乎做电镜的人并没有很仔细的读一读专门的教科书,更不用说对电子光学以及相关的一套理论有深入的理解了。大概都是半路出家。俺还需要努力学习呀。
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此论坛实在霸道,一条个人所见竟遭到如此指责。
可是你们又不讲出你的道理。
这样办这个论坛还有什么意义,又有谁敢在此发表见解!?
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