主题:【讨论】质量歧视的原因

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为什么四极杆和离子阱存在质量歧视现象呢?

这样问是因为最初知道“质量歧视现象”后,为了弄明白,在网上搜到一些相关信息,提到这两种质谱(四极杆和离子阱)存在质量歧视现象,但是没有说原因。我呢又想弄明白到底是怎样引起这种现象的,所以就以上面的题目开始了讨论。不过过了两三天也没有人跟进,自己手边的资料和书中也没有找到相关答案:和最初了解的一样,只是说到质量歧视,没提原因。

今天仍然在网上挖,哈哈……在“电工类专业翻译”中竟看到了质量歧视效应的英文翻译,然后注意力开始转向电子类,想到检测器,开始查质谱常用检测器-电子倍增管的相关信息。最终找到一个ppt,介绍了一下电子倍增管,内容如下:

电子倍增管

类似于光电倍增管, 离子束撞击到第一级阴极表面时,产生二次电子,经过15~18级不断倍增后,为阳极检测电子流,可测出10-17A微弱电流。
特点:灵敏、快速
产生二次电子的数量与离子的质量和能量有关,故存在质量歧视效应,定量分析时应加以校正。”

光电倍增管也存在质量歧视,但电子倍增管相对要明显。

现在终于有点眉目,有相关背景知识的欢迎补充!

今天和一个安装的工程师聊天,人家是学电的,我想他应该很懂,结果他说:质量歧视效应不是监测器引起的,是四极杆质量分析器造成的。

又没有眉目了
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daoyuanli
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刚刚看书的时候也看到书上有提过质量歧视效应,想了解一下,不得而知,希望各位高手多多提供宝贵信息撒!
chuanbo
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质量歧视现象的发生主要是由于不同质量数的离子受场的作用不同而造成
通常说的质量歧视效应没有指倍增器
但是实际上倍增器,主要是带打拿极的倍增器实际上是有一定的歧视的。
欢迎大家指正。
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