主题:【求助】粒度仪光源问题

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0217
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准备要购买一台激光粒度仪,收集了不同厂家的资料.光源有①半导体激光,功率为30mW,②He-Ne激光器,功率为3mwW。请教两种光源的不同点?哪一种更适合测试100~500nm的碳粉粒径。
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恶狼
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youjian000
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准备要购买一台激光粒度仪,收集了不同厂家的资料.光源有①半导体激光,功率为30mW,②He-Ne激光器,功率为3mwW。请教两种光源的不同点?哪一种更适合测试100~500nm的碳粉粒径。

这个问题我也不是很懂,只能泛泛地说几句:
1、半导体激光器相对来说体积小巧,He-Ne激光器相对来说在光的品质上要略好一点。
2、两种都是适合的。
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这个问题我也不是很懂,只能泛泛地说几句:
1、半导体激光器相对来说体积小巧,He-Ne激光器相对来说在光的品质上要略好一点。
2、两种都是适合的。


有两个问题:
1、这两种在波长上有区别吗?
2、波长相同的情况下,功率大的是不是光强大一些?信号也强一些?
youjian000
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原文由 free365 发表:
有两个问题:
1、这两种在波长上有区别吗?
2、波长相同的情况下,功率大的是不是光强大一些?信号也强一些?

1、有区别的。
2、如果其他的条件相同,应该是这样的。
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有两个问题:
1、这两种在波长上有区别吗?
2、波长相同的情况下,功率大的是不是光强大一些?信号也强一些?

1、有区别的。
2、如果其他的条件相同,应该是这样的。


0.1~0.5um的样品粒径,是不是对波长要求更高些?
我们当时买仪器好像没有考虑这么多问题
youjian000
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0.1~0.5um的样品粒径,是不是对波长要求更高些?
我们当时买仪器好像没有考虑这么多问题

理论上在测量小颗粒时采用波长短的激光器要好一点,实际的情况可能要复杂一些。。。
fanjilai
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我觉得测试100-500纳米的粒径对激光粒度仪器的光源选择应该没有要求,大多数的激光粒度仪的光源都是红光635nm半导体或是632.8nmHe-Ne,这两种光源的波长对于上面提到的粒径范围的测量都是没有问题的,这两中光源从光束质量上来讲He-Ne相对好些,但它的体积比较大,寿命也可能不如半导体,现在半导体激光器通过整形或是光纤偶合,它的光束质量也已经越来越好,基本可以接近He-Ne的光束质量了.对于纳米级的颗粒(通常指100纳米以下的颗粒)的测量通常激光器波长越短分辨率越高,从理论上越精确,但实际情况可能比较复杂,比如通常采用短波长的蓝光激光器(405-473nm),可能样品会激发出荧光,也会影响实际测量效果,所以必须采取相应的措施来解决荧光问题.
楼主的测试范围要求在购买时对激光器的光源类型不必要做评判,您应该具体了解仪器的探测散射光角度,让厂家解释0.1微米左右的粒度是怎么测量的.最好是带着样品现场测量,或是买点0.1-0.5微米范围内的标准颗粒去测量,看实际效果.
原文由 0217 发表:
准备要购买一台激光粒度仪,收集了不同厂家的资料.光源有①半导体激光,功率为30mW,②He-Ne激光器,功率为3mwW。请教两种光源的不同点?哪一种更适合测试100~500nm的碳粉粒径。
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0217
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测量角度分别为165°和90°。销售人员介绍165°为背反射,更适合测量黑色的炭粉溶液。具体原理我不清楚。请教了?
fanjilai
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测量角度分别为165°和90°。销售人员介绍165°为背反射,更适合测量黑色的炭粉溶液。具体原理我不清楚。请教了?


测量角度能达到165度,那么按道理测试您要求的粒度范围应该没问题,这个仪器的测试下限应该更小,"165°为背反射,更适合测量黑色的炭粉溶液"这应该是因为您的样品是黑色的碳粉,该样品吸光率教大,光的反射效果比较明显,所以后向探测器的信号比较强,也就是后向信号强度相对吸光率低的样品大.因为颗粒越小散射信号强度越弱,不容易探测,但你的样品信号应该比较大,因为探测信号强度中有很大一部分是反射光.但实际这部分反射光对粒度测试结果有多大影响...
您的主要考察应该是实际的测试结果,最主要的是结果的重复性和准确性.
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