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ID:Insm_5225054a
行业:其他
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ID:m2921742
原文由 m2921742(m2921742) 发表:有几种方法:1、二次电子探测,样品台倾斜,然后图像处理,得到3D2、4或5像限背散射探测器,样品不用倾斜,得到3D3、4个二次电子探测:(A B)-(C D),得到3D4、FIB一边切,一边扫描,得3D5、加个AFM模块轻敲模式,得3D是要测摩擦度?要求不高,第一、二种就可以
原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:对于1样品太倾斜大概是这个原理,4和5AFM和FIB也是很容易理解的,可是对2和3不是很清楚,我们希望得出其一个轮廓,比如知道晶体表面的粗糙度或者刻蚀后的坡度角。
ID:v3013613