主题：【原创】关于冷场发射是否适合能谱分析的争论可以休矣！！！

哇，电镜之后是能谱，吵的够厉害的。大家都消消气，在论坛上多讨论讨论技术性问题，别攻击这个攻击那个的。真理需要辩，越辩越明。别忽悠就行。

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论坛巡视：环保兄于即日

我对技术问题比较感兴趣，所以想对前面说的“体内集成的场效应管和探测器之间过渡区域电荷收集不充分会引起如图一的低能尾巴问题”这个问题以自己浅薄的专业知识谈一下自己的理解，无关乎商业。
这个问题其实应该叫做“弹道亏损”，英文名叫“ballistic deficit”。引起弹道亏损的原因就是信号电子在运动过程中由于各种原因（有兴趣的可以自己去查书，讲起来太麻烦）而复合，从而形成弹道亏损。需要说明的是，弹道亏损存在于各种半导体探测器中，这是所有半导体探测器的本征属性。也就是说无论Si(Li)探头、SDD探头、Ge探头、Si-PIN探头等等等等，都会有弹道亏损存在。如果谁要说我的探头没有弹道亏损，那他比爱因斯坦还爱因斯坦。而且，弹道亏损和信号电子的运动距离成正比例，信号电子的运动距离越长，弹道亏损越严重。举个例子，如果你把Si(Li)探头做的非常厚，它的弹道亏损也会变的非常严重，因为信号电子运动的距离长了。而对于SDD来说，因为它的信号是在平行于探测器平面的方向运动，所以探测器面积越大，从理论上来讲，弹道亏损应该越严重。当然，相同探测器面积的情况下，旁置场效应管SDD的亏损会大于中心场效应管SDD的亏损。同理，10mm²旁置场效应管SDD的亏损又会比30mm²中心场效应管SDD的亏损小很多。至于低能端谱峰为什么不呈高斯分布？我再谈谈个人浅见。其实完美的高斯分布峰是不可能存在的，无论在低能端还是在高能端，弹道亏损就是引起这个现象的重要原因之一，这个才是谱峰本来应该有的真面目。无论那种探测器，这种现象在低能端会尤其明显，具体原因可以自己思考。当然，随着人们对美观越来越重视，搞了很多方法去修正图谱，比如加入一些电路，所以弄的我们现在的人都不知道原汁原味的谱图应该是怎么样的了。在一些非常老的Si(Li)能谱上,大家依然可以看到这种现象。
以上纯属个人见解，欢迎各位同行一起讨论讨论。还是那句话，真理不辩不明。

我也不知道谁的观点正确.但这样的辩论还真有意义,可以扩展大家的思路和见识.

如果他还是要吵架，那么说明他很可能是另一个公司的销售，就这么简单

HITACHI-DEMO兄可能没说完，给补充一下，谱峰在右肩会不呈高斯状分布的另一个原因是电子－空穴对在探测器内部的复合。

其实定量准不准和用标样做标定关系很大的。

定量测量的算法都差不多，利用ZAF来量化的。所以，如果有何待测样品比较接近的标样来测量，结果会很准的。EPMA，XRF都是这样的，包括XRD的定量也要标样来标定，比较准。

当然如果用CaCO3来标定CaCO3的话，那会是100%的准确！

好久不来。越探讨越明白不是，布鲁克的讲到电子－空穴对复合这么细的知识点，难得。
另外，我来替布鲁克澄清一下，我用过他们的能谱仪。他们用CaCO3来验收仪器时用的是无标样定量方法，并不是用CaCO3标样先做一个标样分析，再用这个数据来对CaCO3标定。

其实验收标准也是能SHOW,不过应该不会SHOW太多信息

因为冷场毕竟束流不稳定,在进行能谱分析是否可以一直保证这么好的效果就好了.

冷场EDS分析是可以做的,不过稳定性说实话还是原理上无法突破的.

原文由 lich_dc(lich_dc) 发表:
其实验收标准也是能SHOW,不过应该不会SHOW太多信息

因为冷场毕竟束流不稳定,在进行能谱分析是否可以一直保证这么好的效果就好了.

冷场EDS分析是可以做的,不过稳定性说实话还是原理上无法突破的.

能谱分析如果只做定性冷场绝对可以应付，而且很容易就把输入计数率做到4K。这个我有过测试加速电压20KV，引出电流10UA。束流选择高，其他无需改变。
无标样定量（定量要求不高）冷场工作3小时以后束流的稳定性也能符合要求了。我做过定量优化测试有截图在。
有标样定量冷场才会出现缺陷。可是有标样定量基本都是一些特殊的材料样品（对样品和标样的要求也高）科研院所基本上不会用到。
所以我们买仪器不能逐本求末，而我们的许多科研院所就是在做这些事，真让人看不明白。
场发射主要是用来看高分辨图像的，微米区域分析只是附属。而且除了几个特殊部门需要做到这样的精确程度，学校和科研单位有多少要做了这样的事？热场分辨能力先天不足（原因也就是束流大），后期的所谓改善也是花大价钱来降低束流。且后面的花费比冷场要多得多，怎么看都不划算
所以我一直想不明白它怎么会热起来？是我们太笨还是有其他的原因？反正不是花自己的钱。可是我们做事要和自己的身份相符呀！

买热场的给个充足理由先！！！