原文由 baihezll 发表:
我用的都是四极杆,实验中碰到1000以上的样品少,不过也有两个,但结果还都很好。离子阱存在频移这个可以理解,一般介绍离子阱的时候都会提到这个问题,这可以说是离子阱的一个瓶颈。“随着阱内离子数目的增加,空间电荷效应(离子-离子排斥)就会引发频率位移(频移),幸运的是可以通过控制外部ESI源(原来的离子阱,配备EI源的话一般都是内源,这样所有产生的离子都可以在阱内捕获,所以离子利用率高)生成的离子引入阱内的离子数目,也可以通过离子引出过程除去阱内多余的离子,从而改善离子阱的性能”
但是四极杆质量分析器相当于一个质量过滤器,不存在离子存储过程,相对而言离子和离子之间的相互排斥到底有多大的影响,是不是也能看到明显的频移?我认为这种影响很小,甚至可以忽略,之所以这样认为另一个原因就是看了很多资料书籍,都没有看到有提四极杆的频移现象,一般四极杆的主要问题就是离子利用率低,这也是它全扫灵敏度低的原因。
但是由于本人关于电、磁的知识只局限于高中那么一点,而且已经忘的差不多了,呵呵,所以在理解上有可能不彻底。所以有兴趣和想法的朋友继续讨论啊……
其实我也与一些做四极杆质谱的人有过交流,我也听别人说过,其实四极杆质谱的检测范围一般也就在1000多一点,我用的是Agilent Trap SL 质谱, 测量范围是50-2200,比一般的四极杆质谱的范围略大, 而且用标准调谐液校正扫描时,其表示的质荷比可以达到小于0.1的偏差.但具体做化合物检测时,往往会有较大偏差,有近1.0偏差。而且我的附件里有一个化合物的结构式,这个化合物分子量达到1500,但做出来比较准确。而我曾做过的大约1000分子量的化合物如果分子呈松散的长链状的话,则其质荷比就会比一般同分子量化合物的偏差大。
关于控制阱内离子容量的作用问题,我在上面的回贴中已作了简单的解答,不知楼上这位是否看懂了我的意思。
现在的问题是人们对四极杆质谱在这方面的局限性很少有阐述。
其实四极杆质谱与离子了阱质谱的最大的共同点就是在于它们都是通过 RF 电压来完成质荷比检测。我之所以在这里把这个问题提出来,就是希望广大做质谱的朋友们通过讨论交流来增强对仪器的理解。
而且问题的关键在于这方面的教科书几乎是空白,即使有的话也只是简单的相互抄袭了简单的概念。