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主题：【求助】（已应助）求助文献一篇 N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响

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shizhiming1982
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发表于：2008/09/05 22:07:12 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
题目：
N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响
网址：
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-ZXJS200506002.htm
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2008/9/5 22:25:16 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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