原文由 wu_yan 发表:
本人长期做II-VI族分子束外延,对III-V族不大了解,因此向各位高手请教:
1、GaAs脱氧时衬底真实温度是否在600C附近,如何脱氧?曾听说脱氧过程中需要喷As以防止表面As的挥发,避免形成Ga滴,是否如此?
2、如何判断100晶向衬底脱氧结束?是否应该等再构出现才基本可以判断,什么再构,2*3还是3*2?如何计算脱氧时间?
我曾经在211晶向的GaAs衬底上脱氧,未喷As,也未出现再构,同样可以外延好的样品,以上两点疑问是否属实,望各位分子束外延高手帮忙解答。