主题：【转贴】X光电子能谱分析的基本原理及应用

原文由 jiaoo5323 发表:
XPS的应用
　　XPS主要应用是测定电子的结合能来实现对表面元素的定性分析。图10.12是高纯铝基片上沉积Ti(CN)x薄膜的XPS谱图。所用X射线源为MgKα，谱图中的每个峰表示被


X射线激发出来的光电子，根据光电子能量。可以标识出是从哪个元素的哪个轨道激发出来的电子，如Al的2s、2p等。由谱图可知，该薄膜表面主要有Ti, N, C, O和Al元素存在。这样就可以实现对表面元素的定性分析。定性的标记工作可以由计算机来进行。但由于各种各样的干扰因素的存在，如荷电效应导致的结合能偏移，X射线激发的俄歇电子峰等，因此，分析结果时需要注意。
　　XPS谱图中峰的高低表示这种能量的电子数目的多少，也即相应元素含量的多少。由此，可以进行元素的半定量分析。由于各元素的光电子激发效率差别很大，因此，这种定量结果会有很大误差。同时特别强调的是，XPS提供的半定量结果是表面3-5nm的成份，而不是样品整体的成份。在进行表面分析的同时，如果配合Ar离子枪的剥离，XPS谱仪还可以进行深度分析。依靠离子束剥离进行深度分析，X射线的束斑面积要小于离子束的束斑面积。此时最好使用小束斑X光源。
　　元素所处化学环境不同，其结合能也会存在微小差别，依靠这种微小差别（化学位移），可以确定元素所处的状态。由于化学位移值很小，而且标准数据较少，给化学形态的分析带来很大困难。此时需要用标准样品进行对比测试。图10.13是压电陶瓷PZT薄膜中碳的化学形态谱。


　　图中结合能为285.0ev和281.5eV两个峰分别是有机碳和金属碳化物的Cls峰。由图可以看出，薄膜表面有机碳信号很强，随着离子溅射时间的增加，有机碳逐渐减少,金属碳化物逐渐增加。这说明在PZT薄膜中的碳是以金属碳化物的形态存在的。薄膜表面的有机碳是由于表面污染所致。

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原文由 feixiong5134 发表:
楼主：请问如何消除ＳＨＩＲＬＥＹ，ＢＩＳＨＯＰ和位错台阶背景的影响．谢谢

我看这个问题，需要用专用软件可以扣除，你在实验时可以让操作人员帮你扣除。

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楼主：请问如何消除ＳＨＩＲＬＥＹ，ＢＩＳＨＯＰ和位错台阶背景的影响．谢谢

我看这个问题，需要用专用软件可以扣除，你在实验时可以让操作人员帮你扣除。

可是我就是实验室的操作人员啊!

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楼主：请问如何消除ＳＨＩＲＬＥＹ，ＢＩＳＨＯＰ和位错台阶背景的影响．谢谢

我看这个问题，需要用专用软件可以扣除，你在实验时可以让操作人员帮你扣除。

可是我就是实验室的操作人员啊!

要不，你帮我做实验，我帮你扣本底。呵呵！可惜你不在北京。
多练几次就会了。做实验就是要有技术。


呵呵,好建议啊!要不试试 .可是扣本底要经验啊!.练也是瞎练,没人指导我啊!