稀释气技术之前特别写过它的一些特点。但是，还不够深入。比如在高C基体，（比如：紫杉（C47H51NO14），碘克沙醇（C35H44I6N6O15）等分子式里。）Li，Be，B往往会出现加标回收率偏低而其他元素加标回收率正常的情况，在减小稀释气时，加标会慢慢增大。从空间电荷效应的角度，Li等低质量数的元素加标回收率偏低，应该是在ICP电离之后才可能发生，可稀释气在炬管前面引入的，怎么解释成了难题。

现在异常实验结果是已知的，解决办法也找到了。问题在于到底为什么呢？不找到一个合理解释，总归感觉不放心。第一感觉，总有一种低质量数的元素在高C基体中被高流速的稀释气给吹跑的感觉，或者这么描述：在气溶胶里元素的分布是有梯度的，可能与质量数存在某种关系。请教了很多人，查了一些资料，确实找不到相关的物理化学原理出来。更可怕的是如果真的可以解释得通，那经典的气溶胶进样方式的理论基础都动摇了，所以这种“吹跑”的解释大概率是主观臆断。

假如低质量数元素没有被“吹跑”，同时考虑到这些元素的第一电离能并不高，因为As这个电离能更高的元素都是正常的，所以我们可以认为，这三个低质量数元素在ICP电离也是正常的。这么推断下来只有一种可能：离子传输时的质量歧视造成的，说白了还是空间电荷效应！现在问题就等价于：在高C基体里的Li等低质量数元素在高稀释气条件下，为什么会有强烈的空间电荷效应的问题。

在不加稀释气的情况下：高C基体嘛肯定是C多，特别是以苯环形式存在的C，要消耗很多的能量去破坏化学键，再进一步去电离成C正离子，C原子的离子化效率本来就很低（低于2%），再加上破坏高基体气溶胶化学键消耗了大量的ICP能量，导致离子化效率进一步减小，所以高C基体里绝大部分是没有电离的原子态。当加入较高流量的稀释气以后，情况会发生一些变化：

首先，气溶胶在稀释气的撞击与重力作用，大粒径的气溶胶会重新掉落回雾化室；第二，气溶胶被稀释气充分包围，稀释气作为燃料气在ICP里被瞬间“引燃”。以上两点，会让高基体样品得到更充分得解离。大家想：充分的解离对谁影响更大？容易电离的元素是优先电离的，受到基体影响小，难电离的那些高电离能的元素，典型的元素有：（C（1086.5KJ/mol），N（1402.3），O（1313.9），Cl（1251.2） Ar（1520.6），稀释气的引入，使ICP的能量更高，并且更充分得作用于引入的气溶胶，从而让C，N，O等这些本来在高基体样品里难以电离的元素，有更多能量供给实现电离。

说到这里，可以做个总结了：“高基体”指的是要大量消耗ICP能量的样品基体（紫杉醇仅仅是高碳基体的代表），在高基体样品里，C，O，N，Cl等难电离元素会因为稀释气的引入，而大幅度提高电离效率（O，N响应都是上亿cps级别的），这些离子在会让离子束大幅度膨胀，从而将Li，Be，B给“挤”出来被真空抽走。Li，Be，B是因为过于膨胀的离子束，传输效率大幅度降低导致的加标回收率异常。从这个角度看，比Li7更靠外的Li6肯定受到类似的空间电荷效应，用Li6做内标去校正，应该是一个很好的解决方式。

本文的说法，或许还可以解释另外一个问题：控温雾化室控制到2～3℃，对低质量数响应强度有更多改善的事实。大量的水蒸气被冷凝，导致进入ICP里的水明显减小，O的电离数目减小，减小了空间电荷效应。

最后说一下高基体样品的空间电荷效应造成的后果：对于普通的ICPMS，从ICP往后一直到四级杆分析器，这些过程里，那些无关元素都要跟着，中间还要拐弯，还要碰撞反应，低质量数不受影响才怪了。文末附上安捷伦与PE进样实物图。