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主题：【分享】Solitron 2N4859/2N4860/2N4861 N沟道JFETS

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发表于：2024/10/23 13:53:33 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊

[img=Solitron 2N4859/2N4860/2N4861 N沟道JFETS,303,197]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20240726/1721956208942744.png[/img]



　　Solitron 2N4859、2N4860和2N4861是N沟道结型场效应晶体管(JFET)。这些晶体管的主要特点和参数如下：

　　主要特点：

　　符合JAN/JANTX/JANTXV标准产品

　　根据MIL-PRF-19500/385认证

　　低导通电阻

　　快速开关特性

　　高隔离性能

　　提供S级筛选选项

　　耐辐射

　　VISHAY和SILICONIX的第二来源

　　参数概述：

零件编号封装类型19500/规格击穿电压电流RDSON（导通电阻）
2N4859TO-1838530V175mA25Ω
2N4860TO-1838530V100mA40Ω
2N4861TO-1838530V80mA60Ω


　　绝对最大额定值:

　　门-源极电压(V_GS): -30V

　　门电流(I_G): 50mA

　　引线温度(RT_T ): 300°C (距离壳体1/16英寸，10秒)

　　工作结温范围(T_J): -65 至 200°C

　　存储温度(T_STG): -65 至 200°C

　　功耗(P_DERATING): 1800mW (在25°C时，每度降额10.3mW)

　　订购指南:

JAN系列JANTX系列JANTXV系列
JAN2N4859JANTX2N4859JANTXV2N4859
JAN2N4860JANTX2N4860JANTXV2N4860
JAN2N4861JANTX2N4861JANTXV2N4861


更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。
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