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主题：【转帖】中国科学院信息技术科学部院士简介

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醋老西
wangxy2999
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2007/6/14 14:20:00 51楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
王阳元

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  微电子学家。浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授、所长。主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器，是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，对实践有重要的指导意义。研究了亚微米电路的硅化物/多晶硅复合栅结构的应力分布。发现磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用。提出了SOI器件浮体效应模型和改进措施。发展了新型SOI器件结构，与合作者一起提出了超高速多晶硅发射极晶体管的新的解析模型和先进双极工艺技术。近期又研究亚0.1Чm器件和集成电路技术以及微机电系统(MEMS)。1995年当选为中国科学院院士。
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2007/6/14 14:20:00 52楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
王育竹

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  量子光学专家。河北正定人。1955年毕业于清华大学无线电工程系。1960年苏联科学院电子学研究所研究生毕业获博士学位。中国科学院上海光学精密机械所研究员。长期从事电磁场与原子相互作用的研究，是我国原子频标开拓者之一。建立了我国第一个量子光学开放实验室，率先开展激光冷却气体原子的研究。首次提出将光频移效应用于激光冷却气体原子。利用激光偏转原子束验证了亚泊松光子统计规律。开展了一维驻波场激光冷却原子的研究，观察到低于多普勒极限温度的现象。首次将多普勒效应用于原子干涉仪，观察到原子干涉现象。利用固体微球腔量子电动力学效应，获得了新的激光谱线。1997年当选为中国科学院院士。
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2007/6/14 14:21:00 53楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
王占国

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  半导体材料物理学家。河南省镇平人。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As／GaAs，In(Ga)As／InAlAs／InP等量子点(线)．与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。1995年当选为中国科学院院士。
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2007/6/14 14:21:00 54楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
王之江

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  物理学家。江苏常州人。1952年毕业于大连大学工学院物理系。中国科学院上海光学精密机械研究所研究员。在光学设计方面，发展了象差理论和象质评价理论，形成了新的理论体系，完成了大批光学系统设计（如照相物镜系统、平面光栅单色仪、长工作距反射显微镜、非球面特大视场目镜、105# 大型电影经纬仪物镜等）；在激光科学技术方面，领导研制成中国第一台激光器，并在技术和原理上有所创新。70年代领导完成了高能量、高亮度钕玻璃激光系统。在这项工作中解决了一系列理论、技术及工艺问题。关于某些激光重大应用对亮度要求的判断，使工作避免了盲目性，对于中国激光科学技术起了积极作用。倡议和具体领导了中国“七五”攻关中激光浓缩铀项目。对中国光信息处理和光计算起了倡导作用。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
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2007/6/14 14:22:00 55楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
吴德馨

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  半导体器件和集成电路专家。女。河北乐亭人。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。60年初，作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS 4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路；并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAs PHEMT器件。目前正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
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吴宏鑫

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    控制理论与控制工程专家。1939年生于江苏丹徒。1965年毕业于清华大学自动控制系。现任中国空间技术研究院研究员。  主要从事航天和工业领域的自适应控制和智能控制理论与应用研究。提出了“全系数自适应控制理论和方法”，这是一套完整的系统性和实用性很强的自适应控制理论和方法，对于一类对象在参数估计未收敛到“真值”的过渡过程阶段，能保证系统闭环稳定且具有良好性能。在智能控制方面提出了“特征建模”、“基于对象特征模型描述的黄金分割智能控制方法”、“航天器变结构变系数的智能控制方法”和“基于智能特征模型的智能控制方法”等，为降阶控制器和智能控制器的设计开拓了一条新的道路，对航天器控制和工业控制的发展具有重要理论意义和实用价值。2003你当选为中国科学院院士。
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吴全德

资深院士

  电子物理学家。浙江黄岩人。1947年毕业于清华大学电机系。北京大学教授。研究领域主要在光电阴极、含超微粒子薄膜及薄膜的成核和生成等方面。1963年提出阴极固溶胶理论；1966年提出离子晶体或共价晶体中固溶胶粒的形成和生长理论；1979年提出银氧铯阴极光电发射的物理模型，推导出长波光电发射的光电流密度和量子产额公式，计算了它的长波光谱响应理论曲线，从而得出对长波有贡献的平均银超微粒的直径约31埃。此理论被国外有关权威学者承认并称之为“吴氏理论”。1987年提出固体表面上原子团和超微粒的形成和生长理论，以及外延生长条件。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
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夏建白

现有院士

  半导体物理专家。 生于上海，原籍江苏苏州。1965年北京大学物理系研究生毕业。中国科学院半导体研究所研究员。在低维半导体微结构电子态的量子理论及其应用方面进行了系统的研究。提出量子球空穴态的张量模型，获得重轻空穴混合的本征态，并给出正确的光跃迁选择定则。提出介观系统的一维量子波导理论，对任意复杂的一维介观系统给出了直观、简单的物理图象和解析结果。提出(11N)取向衬底上生长超晶格的有效质量理论，解决了一大类非(001)取向衬底生长超晶格的空穴子带的理论问题。提出计算超晶格电子态的有限平面波展开方法，用赝势理论研究了长周期超晶格，解决了用平面波方法计算大元胞晶体电子态的困难。提出半导体双势垒结构的空穴隧穿理论，发展了多通道的传输矩阵方法。2001年当选为中国科学院院士。
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夏培肃

资深院士

  计算机专家。女。原籍四川江津，生于四川重庆。1945年毕业于中央大学电机系。1950年获英国爱丁堡大学博士学位。中国科学院计算技术研究所研究员。50年代设计试制成功中国第一台自行设计的通用电子数字计算机。从60年代开始在高速计算机的研究和设计方面做出了系统的创造性的成果。解决了数字信号在大型高速计算机中传输的关键问题；负责设计研制的高速阵列处理机使石油勘探中的常规地震资料处理速度提高10倍以上；提出了最大时间差流水线设计原则，根据这个原则设计的向量处理机的运算速度比当时国内向量处理机的快4倍；负责设计研制成功多台不同类型的并行计算机。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
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薛永祺

现有院士

  红外和遥感技术专家。江苏张家港人。1959年毕业于华东师范大学物理系，获学士学位。中国科学院上海技术物理研究所研究员。从事多光谱和成像光谱技术研究，为我国建立机载实用遥感系统提供了多种先进的遥感手段，并推动了我国遥感技术的应用。先后研制成功多光谱扫描仪、成像光谱仪、超光谱成像仪。在航空遥感器应用于水文、地质、考古、环境污染监测等方面取得显著效果。开拓三维成像遥感新技术，提出将扫描光谱成像和激光扫描测距一体化，实现无地面控制点快速生成数字地面高程模型和地学编码图像，特别适用于滩涂、沙漠、草原、岛屿等交通困难地域。1999年当选为中国科学院院士。
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