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主题：[求助]使用SEM看薄膜断面？

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feiliao
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发表于：2006/05/27 17:59:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
该帖子已被shxie设置为精华；
在Si片上镀一层非晶碳膜（厚度为几十个nm，导电性能较差），用金刚石刀直接切割出试样，然后进行SEM观察，希望得到薄膜的厚度。

第一次去做时表面没有喷金，看到的断面效果也很差，很难清楚的看到薄膜与基体的分界面。

请问喷金（应该不能喷碳）以后能看到清楚的界面吗？我看别人论文里面的图都非常清楚，不知何故？

希望得到各位前辈的请教！
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2006/5/29 23:11:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我觉得最好还是采用样品本身新鲜的断面，尽量不要喷金，否则会掩盖了

断面原有的结构信息。曾做过好多次看断面的薄膜样品，因导电性一般，我就

采用好的导电胶（如Ag导电胶等）把断面照出来的。

我以前做的经喷金处理后的样品-SEM断面 照片一个也用不上，图像不好，本来

看断面需要的放大倍数很大。
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2006/5/29 23:14:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你样品也够薄的，建议看TEM 吧

SEM 够吃力了吧，呵呵

请高手指点
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feiliao
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2006/5/30 10:33:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
"我就采用好的导电胶（如Ag导电胶等）把断面照出来的"

请问用导电胶具体怎么操作？

还有一个问题，如果不喷金的话，电子一打表面就产生一个小包，根本得不到清楚的截面照片。可以看给出的电镜图
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Last edit by lylsg555
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2006/5/30 13:25:00 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 feiliao 发表:
"我就采用好的导电胶（如Ag导电胶等）把断面照出来的"

请问用导电胶具体怎么操作？

还有一个问题，如果不喷金的话，电子一打表面就产生一个小包，根本得不到清楚的截面照片。可以看给出的电镜图。



用好的导电胶（如Ag导电胶等）就是为了增加导电性，我采取多数部分全包裹

的办法，只漏出一小部分，并且在靠近Ag导电胶的地方拍照。另外，照SEM断面

的时候应该快点，我就是只取做调整的部分照片，若全扫整个屏幕照片的话，

电荷积累影响成像容易不清楚了。关键就是快速，找到好的地方赶紧抓拍，呵

呵，看你的操作了，好运！有时候一幅好的SEM照片需要照好几个样品，发表的

paper中，大多都是选取的最好看的图片吧。。。
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Last edit by lylsg555
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2006/5/30 13:31:00 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
“还有一个问题，如果不喷金的话，电子一打表面就产生一个小包，根本得不到清楚的截面照片。可以看给出的电镜图。”

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

没看到你sem照片,那个小包就是放电造成的吧

还是因为你制备的薄膜导电性不好吧

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sunnysky
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2006/5/31 12:58:00 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
用冷场发射电镜,选背散射像,即使不喷金的话也会得到比较好的效果.
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cool_blood520
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2006/5/31 13:05:00 7楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我来说几点,你试一试看是否行得通.(我做过单晶硅上镀膜的实验)
1.样品制备:樣品不要用象你說的那樣用玻璃刀切開.因為單晶硅是有一定的紋理取向,你只需用一個尖銳的東西(如鑷孖)在硅表面邊緣處用力,就可以使硅自動裂開,這樣就可以得到比較平整,新鮮的截面.
2.將樣品用導電雙面膠固定好,然後在側面(在硅基底一側)小心地塗上導電膠(碳或銀)
3.然後將樣品,噴金處理,注意噴金時電流不宜過大(電流太大容易形成金島)
4.掃描電鏡最好選用15KV左右的加速電壓,小的束流.
按以上的方法,看到50K的倍率是沒有太大問題的.SEI可以做到
祝你好運,Try it,don't forget tell me the result!
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ywh7738
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2006/6/1 18:56:00 8楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
coolblood 说的有些道理
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ustbedu
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2006/6/2 21:47:00 9楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 cool_blood520 发表:
我来说几点,你试一试看是否行得通.(我做过单晶硅上镀膜的实验)
1.样品制备:樣品不要用象你說的那樣用玻璃刀切開.因為單晶硅是有一定的紋理取向,你只需用一個尖銳的東西(如鑷孖)在硅表面邊緣處用力,就可以使硅自動裂開,這樣就可以得到比較平整,新鮮的截面.
2.將樣品用導電雙面膠固定好,然後在側面(在硅基底一側)小心地塗上導電膠(碳或銀)
3.然後將樣品,噴金處理,注意噴金時電流不宜過大(電流太大容易形成金島)
4.掃描電鏡最好選用15KV左右的加速電壓,小的束流.
按以上的方法,看到50K的倍率是沒有太大問題的.SEI可以做到
祝你好運,Try it,don't forget tell me the result!


这样可以做cross-section？
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feiliao
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2006/6/6 16:01:00 10楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我的断面图已经得到了。

将硅片掰断以后，找一个比较好的端口，喷金后进行观察。
当然要找到薄膜与硅片的结合面比较困难，薄膜太薄了（只有40nm），经过几个试样的观察，找到一个比较好的位置基本能确定为薄膜后，在原位再扫一个背散射电子图像（成分模式），将其与二次电子图像进行比较，根据两图像的差异基本就可确定薄膜及其厚度。

我大概前后做了将近5个小时，直到最后才找到准确的薄膜，开始的判断几乎全是错的。

谢谢大家的帮助。
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