也可以参考分子束外延MBE版的帖子:http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20061024/600723/
Si上外延生长薄膜通常上面的一层SiO2的去除非常关键,而完全的消除其影响是不可能的,我们只能减小其影响。方法如下:
1。基片清洗:除常规的酒精丙酮去离子水超声外,还要用到双氧水+盐酸和双氧水+氨水的两种酸碱溶液,此外稀释的氢氟酸中浸泡几秒钟可以有效的去除SiO2层。
2。真空热处理:Si片高真空下2小时500度左右退火,有效减少SiO2.
文献中有报道,参考之。