主题:【讨论】不同激发光对Raman谱图的影响

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liang020
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不同激发光(514nm和785nm)对同一物质的谱图影响极大,谱图有很大不同。

除了荧光背景不同,请教大家:这种激发线的不同与不同振动模式有何关系,通过什么影响谱峰相对强度?

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shengsh
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原文由 liang020 发表:
不同激发光(514nm和785nm)对同一物质的谱图影响极大,谱图有很大不同。

除了荧光背景不同,请教大家:这种激发线的不同与不同振动模式有何关系,通过什么影响谱峰相对强度?


不同激发光激发同一种物质时,光谱会有所不同,这和分子的振动有关,激发光的频率越接近分子跃迁所需要的光线的频率时,拉曼散射截面增大,产生共振拉曼散射,这时候光谱强度就大。一个分子中,特别是大分子包括很多基团、分子键,因此能够使他们产生共振拉曼散射的激发光频率也是不同的。
要了解机理还是看一下量子理论解释吧,这个我很头疼。因此,解释的并不一定正确,请大家多多指正。

光谱的不同主要表现为拉曼特征峰强度的不同,拉曼位移的变化不大,另外一个不同就是相对于另一种光激发时,可能会有新的特征峰出现,我想这也属于强度的不同引起的。

ddars
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影响拉曼谱峰相对强度的因素很多,楼上讲了一部分,同时还有拉曼光谱仪本身的影响。拉曼光谱仪每个元件对于可见光和近红外的响应不同,例如CCD探测器,通常使用的CCD在650nm响应最好,越往两边响应越差。所以514测量的结果,正好是在CCD响应曲线的上升阶段,而785nm测量的结果,正好是在CCD响应曲线的下降阶段,所以有可能造成谱峰相对强度的变化。
dengxu1
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白水山石
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原文由 liang020 发表:
不同激发光(514nm和785nm)对同一物质的谱图影响极大,谱图有很大不同。

除了荧光背景不同,请教大家:这种激发线的不同与不同振动模式有何关系,通过什么影响谱峰相对强度?


影响的主要是谱峰的强度,但位移与所用光源无关,当然不同的光源其位移的检出范畴也是有一定区别的.
wjybjut
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Ftt-raman和可见光激发所得的raman 图非常不同,尤其对LaMnO3,不知why
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