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主题：【已应助】一篇文献求助，多谢

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wormer
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发表于：2010/12/24 11:05:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
【序号】：1
【作者】：Keigo Hoshikawa, Xinming Huang, Toshinori Taishi, Tomio Kajigaya1 and Takayuki Iino1
【题名】：Dislocation-free Czochralski silicon crystal growth without the dislocation-elimination-necking process
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
【年、卷、期、起止页码】：卷: 38    期: 12A    页: L1369-L1371    出版年: DEC 1 1999   
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/38/L1369/
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2010/12/24 11:10:15 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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该帖子作者被版主 eginzon加 2积分， 2经验，加分理由：参与应助
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wormer
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2010/12/24 11:19:04 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
非常感谢啊，效率好快啊。
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