主题：【讨论】一周一题捡起来：干扰的产生与消除技术

先占楼，慢慢添加。欢迎大家添加自己的见解、实际遇到的问题和解决方案。那个，《中国合伙人第三季》咱肯定是拿不出来的，散分吧。或者@官人*云飘飘大力赞助本版下？

灌水的就不给分了哈

想到什么就先写什么，后面慢慢再整理。或者哪个版主帮忙整理下

6.18：很多课本和资料都会专门讲解ICPMS的干扰产生机理以及如何消除，例如《电感耦合等离子体质谱应用实例》的第11章整章；《电感耦合等离子体质谱技术与应用——质谱技术丛书》第五章整章；《电感耦合等离子体质谱原理和应用-李冰-地质出版社》第七章整章（福利链接：http://www.book118.com/shulihua/html/shulihua_384250.html）。。等等

直接copy李冰老师书本上的：

ICP - MS 中的干扰可分为两大类: “ 质谱干扰” 和“ 非质谱干扰” 或称“ 基体效应”。第一类干扰可进一步分为四类: ①同量异位素重叠干扰; ② 多原子离子干扰; ③难熔氧化物干扰; ④双电荷离子干扰。第二种类型的干扰大体上可分为① 抑制和增强效应②由高盐含量引起的物理效应。

对于干扰，我个人以为既然是干扰，就不应该有“消除”的说法，严格地说只能是“降低到对目标元素不产生影响的程度”


然后说一点自己的理解，可能有些版友一时半会也没想到这个也是消除/降低干扰的途径：

1、在满足测试所需要的灵敏度前提下，注意这里说的是“满足测试所需要的灵敏度”，而不是达到“调谐所需要的灵敏度”，尽可能地降低“氧化物、双电荷”指标：从上面对干扰分类中可以看出，氧化物也好双电荷离子也罢，广义上我认为其实都可以归结为同量异位素重叠的干扰。那么当氧化物、双电荷指标很低的时候，表示能够生成此类干扰物的可能性更低。换句话说，就是氧化物/双电荷所早成的干扰降低了。

2、某些应用方面会使用“干扰校正方程式”：这种模式只是通过建立一个数学模式，来定量或者偏向定量地扣除干扰，并非从物理手段上降低/消除干扰。

3、干扰的去除/降低并不一定就非得由仪器来完成。所以另外的思路是：某些可预见的干扰源，有可能设法在前处理阶段给去除或者尽可能地降低以使后续测试取得更低的BEC：例如39Ar12C干扰51V，40Ar12C干扰52Cr。那么测试高含碳的样品时，可以设法在前处理阶段尽可能地将C转变成CO2然后加热去除掉，这样在测试的时候就可得到更低的BEC。然而这种方法也有一定的局限性，最明显的就是：前处理不可控的因素比较多，仍然以ArC的干扰为例，每份样品最终溶液中剩余的C未必能保持一致性，这样会导致测试的时候可能每份待测溶液干扰不一致最终影响结果。为防止这种情况的发生，我们可以在测试目标元素的时候适当地监控着干扰元素的量——实例是以Cool Plasma测试31P16O的时候，28Si19F同样是amu=47，这时我们可以在测试47的时候同时也测定45（SiOH）。当amu=45低于某个CPS/浓度的时候（有段时间没做，印象里是cool plasma模式下，45<2000cps），我们就可以认为SiF对PO的干扰可以降低到可忽略的程度。

下午把以前做过的内部培训《干扰的产生和消除》PPT贴上来

（）抱歉，这个PPT是我在公司内部培训用的，带着公司的LOGO，还没去除掉，所以一直没传上来）