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主题：【求助】请教大侠关于XPS结果分析的问题

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发表于：2006/12/30 16:25:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
做了SiN薄膜，XPS分峰后，Si2P的谱中的Si-N键结合能为101.8ev，而N1S的N-Si结合能397.4ev，二者之间有必然的联系么？为何同样的成分连接，键的结合能相差较大？  如果有联系的话，什么因素引起的？
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2007/1/3 9:45:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你一个看的是N
一个看的是Si
所以差别很大了
如果两者正好跟论文的一样
那说明你的物品正好是Si－N。
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