主题:【已应助】RF lens和去簇电压

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wsz29
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热电的RF lens和AB去簇电压,相当于沃特世的什么参数?
推荐答案:welewolf回复于2020/09/19
热电中的RF-lens 是离子聚焦透镜,对于由离子传输管中输入的大量离子具有极高的传输效率和极好的聚焦能力,其值即为RF-lens电压;首先热电中的RF-lens 是独立一体化设计以及不锈钢材质,可以简单方便地进行拆卸和清洗;其次,弯曲的离子束传输组件加上中性粒子挡杆的设计,质谱离子化时会产生一些中性粒子,这些中性粒子如果进入离子通道,会造成质谱图的噪音干扰,并且极易污染整个离子光学通道,将传输四极杆设计成弯曲通道,并在上方加上中性粒子阻挡杆的设计,带电离子可以受电场影响发生偏转通过传输四极杆,而中性离子不受电场影响不发生偏转,湮灭在中性粒子阻挡杆上,避免进入四极杆质量分析器

AB的去簇电压:用于最大程度地减少样品离子进入真空室后可能残留在样品离子上的溶剂团簇,其可以在离子进入离子导向器之前破碎离子。 电压越高,赋予离子的能量越高。 如果DP参数太高,可能会发生不必要的碎片。
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wyong5053132
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原文由 Ins_a48ebc7b(Ins_a48ebc7b) 发表:
请教一下,中性粒子不带电,问什么会在四级杆中对目标物产生影响?
中性粒子由于不带电,所以它向前运动时会与带电粒子碰撞,所以会对目标物有影响
Ins_a48ebc7b
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原文由 welewolf(v2823651) 发表:热电中的RF-lens 是离子聚焦透镜,对于由离子传输管中输入的大量离子具有极高的传输效率和极好的聚焦能力,其值即为RF-lens电压;首先热电中的RF-lens 是独立一体化设计以及不锈钢材质,可以简单方便地进行拆卸和清洗;其次,弯曲的离子束传输组件加上中性粒子挡杆的设计,质谱离子化时会产生一些中性粒子,这些中性粒子如果进入离子通道,会造成质谱图的噪音干扰,并且极易污染整个离子光学通道,将传输四极杆设计成弯曲通道,并在上方加上中性粒子阻挡杆的设计,带电离子可以受电场影响发生偏转通过传输四极杆,而中性离子不受电场影响不发生偏转,湮灭在中性粒子阻挡杆上,避免进入四极杆质量分析器AB的去簇电压:用于最大程度地减少样品离子进入真空室后可能残留在样品离子上的溶剂团簇,其可以在离子进入离子导向器之前破碎离子。 电压越高,赋予离子的能量越高。 如果DP参数太高,可能会发生不必要的碎片。
请教一下,中性粒子不带电,问什么会在四级杆中对目标物产生影响?
Insm_dd72ee5a
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Waters的锥孔电压应该相当于热电的离子传输管电压,热电的s lens 相当于w的step wave 吧
hujiangtao
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wsz29
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原文由 welewolf(v2823651) 发表:热电中的RF-lens 是离子聚焦透镜,对于由离子传输管中输入的大量离子具有极高的传输效率和极好的聚焦能力,其值即为RF-lens电压;首先热电中的RF-lens 是独立一体化设计以及不锈钢材质,可以简单方便地进行拆卸和清洗;其次,弯曲的离子束传输组件加上中性粒子挡杆的设计,质谱离子化时会产生一些中性粒子,这些中性粒子如果进入离子通道,会造成质谱图的噪音干扰,并且极易污染整个离子光学通道,将传输四极杆设计成弯曲通道,并在上方加上中性粒子阻挡杆的设计,带电离子可以受电场影响发生偏转通过传输四极杆,而中性离子不受电场影响不发生偏转,湮灭在中性粒子阻挡杆上,避免进入四极杆质量分析器AB的去簇电压:用于最大程度地减少样品离子进入真空室后可能残留在样品离子上的溶剂团簇,其可以在离子进入离子导向器之前破碎离子。 电压越高,赋予离子的能量越高。 如果DP参数太高,可能会发生不必要的碎片。
那就是去簇电压这个跟锥孔电压算对应的吧?
welewolf
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热电中的RF-lens 是离子聚焦透镜,对于由离子传输管中输入的大量离子具有极高的传输效率和极好的聚焦能力,其值即为RF-lens电压;首先热电中的RF-lens 是独立一体化设计以及不锈钢材质,可以简单方便地进行拆卸和清洗;其次,弯曲的离子束传输组件加上中性粒子挡杆的设计,质谱离子化时会产生一些中性粒子,这些中性粒子如果进入离子通道,会造成质谱图的噪音干扰,并且极易污染整个离子光学通道,将传输四极杆设计成弯曲通道,并在上方加上中性粒子阻挡杆的设计,带电离子可以受电场影响发生偏转通过传输四极杆,而中性离子不受电场影响不发生偏转,湮灭在中性粒子阻挡杆上,避免进入四极杆质量分析器

AB的去簇电压:用于最大程度地减少样品离子进入真空室后可能残留在样品离子上的溶剂团簇,其可以在离子进入离子导向器之前破碎离子。 电压越高,赋予离子的能量越高。 如果DP参数太高,可能会发生不必要的碎片。
该帖子作者被版主 hujiangtao2积分, 2经验,加分理由:应助
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