原文由 光哥(xsh1234567) 发表:

行的方法是将液体 TCS 转移到实验室进行分析。在本研究中，按照适当的安全预防措施将液体 TCS 转移到洁净实验室，并用以下步骤完成细致的样品前处理，然后进行分析：在惰性气氛中通过温和水解将液体 TCS 转化为 SiO2，将其溶解在 HF 溶液中通过加热干燥除去 Si（以 SiF4 气体形式存在）。然后将干燥的残留物重新溶解在 0.4% HCl 溶液中，进行 ICP-MS 分析。

没有任何的意义，这里是去除了Si基体，但楼主的那么一滴溶液显然是无法加热去除的。

抱歉，我这边忘记说明一点，片子萃取前，会经过高浓度高纯度的HF雾化晶圆表面（全自动的雾化及萃取，无人为干扰），生成的SiF4按道理已挥发，片子表面只剩水，这样的话再使用HF+H2O2进行萃取量测，应该SiF的干扰很小吧？

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2021/1/14 11:59:01 23楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
没有Si就行，我忘了冷焰下还有另一个更大的干扰源SiOH。装机的时候工程师没告诉你47要同时监控45的感度？

这个是最近才尝试做的，平时测Ti48是在热模式，通He，45和47差的有点多吧，质量轴的峰宽卡47±0.1

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2021/1/14 12:06:28 24楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:
现有 7900s 是无法满足你的需求了。你看看这篇，8800/8900s

您方便发下邮件吗（740685863@qq.com），公司网络卡控，无法下载，感谢！

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2021/1/14 12:07:21 25楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
发出了令人难以置信的声音：最近FAB厂都在涨价，汽车行业甚至因为无芯可用导致停产了

新厂，目前上升期，资金较为紧张

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2021/1/14 12:33:12 26楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
然后看了下有个疑问：既然是测试环境中的P，为何不用气体收集装置，而偏偏使用这种费时费力的vpd方式呢

客户喜欢，因为这样能够直观的反馈出对片子表面的影响

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光哥

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2021/1/14 14:37:22 27楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 Insm_fda1fab5(Insm_fda1fab5) 发表: 抱歉，我这边忘记说明一点，片子萃取前，会经过高浓度高纯度的HF雾化晶圆表面（全自动的雾化及萃取，无人为干扰），生成的SiF4按道理已挥发，片子表面只剩水，这样的话再使用HF+H2O2进行萃取量测，应该SiF的干扰很小吧？

但是你要考虑P含量可能很低啊，Si在HF+H2O2条件下，再怎么样也会有溶出的，再怎么低的溶出都会比P的含量高好几个等级吧。任何的干扰其实第一考虑的是干扰源和被干扰物之间的浓度差的

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