固体物理、半导体物理学家——黄昆院士
黄昆(1919年9月2日—),出生于北京,祖籍浙江嘉兴。固体物理、半导体物理学家。1955年被选聘为中国科学院学部委员(院士)。1957年加入九三学社。
黄昆父亲黄徵是中国银行高级职员,母亲贺延祉也是银行职员。母亲毕业于北京女子师范大学,为人严肃认真,对黄昆少年时期的成长,有过很大的影响。黄昆小学就读北师大附小、上海光华小学,中学在燕大附中、北京通县潞河中学度过。黄昆从小聪明好学,学习成绩优异,高中三年成绩始终是全班第一。1937年,黄昆考入燕京大学物理系,1941年毕业。在大学期间,他对世界上新兴的量子力学产生了痴迷的爱好,完成了“海森堡和薛定锷量子力学理论的等价性”论文,荣获学士学位。毕业后在昆明西南联合大学物理系任助教。1942年,黄昆考取西南联大理论物理研究生,导师为物理学家吴大猷。1944年,黄昆完成了题目为“日冕光谱线的激起”的论文,获北京大学硕士学位。毕业后,在昆明天文台任助理研究员。1944年8月,黄昆考取公费留英,在英国布里斯托大学读研究生,1947年获博士学位。在此期间,黄昆撰写了“稀固溶体的X光漫散射”等3篇论文。黄昆给出了这种漫散射系统理论,21年后得到证实,理论被国际科技界命名为“黄散射”,成为研究固体中杂质状态的重要依据。通过黄散射的研究可以得到溶质原子周围位移场的情况。1947年5月,黄昆到英国爱丁堡大学物理系,与当代物理学大师、诺贝尔奖获得者M