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主题：【分享】【实战宝典】如何进行三氯氢硅杂质分析?

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发表于：2022/07/05 15:08:46 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
问题描述：如何进行三氯氢硅杂质分析?
解答：
为了生产太阳能电池所需的高纯度光伏硅，必须严格控制用于光伏硅生产的中间产品三氯硅(TCS)中的金属杂质。

样品制备与分析

三氯氢硅(TCS)是用于制造高纯度多晶硅的中间产品。在室温下为液体，极易挥发，在空气中通过水解为SiO2。在生产线上直接分析和在线分析三氯氢硅是不可行的，因为SiO2会沉积在传输管和ICP-MS样品进样系统和接口。此外，三氯氢硅必须在冷冻和惰性环境下处理，避免释放出HCl气体。一般分析时把液体三氯氢硅转移到实验室进行分析。

SiHCl3 + 2H2O SiO2 + 3HCl + H2

在惰性环境下，取一定量的三氯氢硅并转为二氧化硅后，挥硅完全后用0.4%HCl定容，上机分析

仪器工作参数



外标法测试，用0.4%HCl配制0、1、2、5 ppb多元素校准标准溶液。







以上内容来自仪器信息网《ICP-MS实战宝典》
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