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主题：【分享】【实战宝典】如何进行 TMAH分析？

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发表于：2022/07/05 14:49:47 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
问题描述：如何进行 TMAH分析？
解答：
四甲基氢氧化铵(TMAH)作为一种基本溶剂，广泛应用于半导体光刻工艺和液晶显示器(LCD)制造中酸性光刻胶的研制。它在这些要求很高的应用领域的广泛应用，使得TMAH中杂质的分析变得越来越重要。SEMI标准C46-03061规定了25%TMAH的限制，每种元素的污染限制小于10ppb。

样品制备与分析

半导体芯片制造过程中，TMAH通常不以浓缩形式使用，大多数应用的浓度在1-3%之间。一般情况下TMAH的浓度约为25%，建议用纯水稀释5倍后上机分析。

特别需要注意的是，由于TMAH具有冲刷颗粒和污染物的能力，在经过ICP-MS进样系统到达锥口的过程中，很容易引起尖峰信号，因此对进样系统提出了挑战，日常分析时需要特别注意进样系统的维护和清洁。以下显示了TMAH分析时干净的进样系统在连续分析时标准溶液和1%HNO3的切换。



典型的仪器工作参数

RF 功率 (热)1500 W
QID打开
检测模式脉冲
积分时间1 s
重复次数3次


主要的质谱干扰

M/z

Interference

Analyte

24 - 26

12C2

Mg

27

12C14NH

Al

39

38ArH

K

40

40Ar

Ca

52 - 53

ArC

Cr

56

40Ar16O

Fe



质谱干扰去除方式

采用反应模式去除大多数的多原子离子干扰。为使用反应模式的效率最大化，可以使用 100% 氨气进行on-mass 干扰去除多原子离子干扰干扰。

镁标准曲线（氨气流量 0.3ml/min）

铝标准曲线（氨气流量 0.3ml/min）

铬标准曲线（氨气流量 0.3ml/min）

某5% TMAH中的检出限，背景等效浓度以及20ppt加标回收率



以上内容来自仪器信息网《ICP-MS实战宝典》
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