实战宝典 原创大赛 仪器问答 仪友会 总帖：8092230今日发帖：327 我的社区 签到
快速导航 采购仪器 提醒
扫描电镜（SEM/EDS）
版主:
入住本版
专家:
居民列表

主题：【讨论】请问EDS谱峰一直有Si的峰是什么原因呢？

浏览0 回复14 电梯直达
天黑请闭眼
头像
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
发表于：2007/04/27 21:57:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
该帖子已被RENXIN设置为精华；
Oxford能谱，INCA，2002年购入，TEM附件，最近发现在空白碳膜上，老是出现Si的信号，以前我印象里也只是死时间太长才有这种现象，现在即便是死时间在10％左右也会有一点。
请问这是怎么回事呢？需要怎么处理？谢谢！
为您推荐
近期热榜
热门活动
您可能想找: X射线能谱仪(EDS) 询底价
选参数 看心得 找厂商 查方案
专属顾问快速对接
立即提交
相关阅读
天黑请闭眼
shxie
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/4/27 22:01:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 leeeds 发表:
硅死层在吸收x射线后引起SiK系射线进入到探测器的活性区。这些Si的X射线不是来自样品，而是以一个小的Si峰出现在能谱上，所以叫硅内荧光峰。

看到这个解释，renxin版主说是逃逸峰，二者有何区别呢？
如果经常出现这个峰，是不是说明Si死层变多？寿命到了？
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
德国工兵
tao______
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/4/28 22:11:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
个人以为硅荧光的解释为正解，逃逸峰的解释是不正确的，可能的原因如下，请SHXIE尝试一下：探测器位置被动过，没有安装到合适的位置会造成slicon fluorescence 也就是出现矮小的Si峰，或者样品在样品杆上的位置不正确。当然也有可能作能谱分析时候放大倍数太小，或者使用了非电镜厂商提供的STEM功能。BTW通常Si荧光的峰对定量结果的影响小于1%是可以接收的，所谓硅死层变厚的说法也值得商榷。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
德国工兵
tao______
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/4/28 22:23:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
补充一下，逃逸峰的位置是正确的峰的能量减去Si峰的能量也就是减去1.74以后的位置出现的峰叫逃逸峰。举个例子如下：谱图中应该只有Fe55的峰位置应该在5.89 ， 但是我们可以看到在5.89-1.74＝4.15的位置出现了一个逃逸峰，这样应该很清楚了，呵呵。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
Last edit by tao______
求缺人生
bgwaste
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/4/30 15:06:00 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
长知识了!谢谢!
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
天黑请闭眼
shxie
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/5/4 19:35:00 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
谢谢SDD的扇子，呵呵，这下明白了，五一之后请牛津来人看看。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
frankchen009
frankchen009
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/5/5 3:29:00 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
eds有时候会不准的，你查查看Si的特征峰值是不是和其他的元素有重叠的部分。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
毒菇九剑
sshlxf
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/5/8 12:57:00 7楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
呵呵，这个逃逸峰的解释才是正版。好像其他帖子上有一些误导，建议澄清一下。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
nuszjx
nuszjx
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/5/9 13:30:00 8楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
请问你的EDX中Si峰的问题解决了吗？ 我们的EDX也是OXFORD， INCA 2003年买的，现在也会出现这个Si峰。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
天黑请闭眼
shxie
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/9/13 18:08:00 9楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 nuszjx 发表:
请问你的EDX中Si峰的问题解决了吗？ 我们的EDX也是OXFORD， INCA 2003年买的，现在也会出现这个Si峰。

还没解决，唉！
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
moonbearpipi
moonbearpipi
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
2007/10/11 13:33:00 10楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
逃逸峰是Si ( Li)探测器在检测过程中的副产品，当一个能量为E的X射线光子进人探测器后，可能使硅原子电离而产生Si Ka射线，如果这种Si K。射线是在晶体的边沿产生或Si的Ka线离探测器表面很近时，就有可能逃出探测器，并携带走1. 74 ke.V的能量，这样使检测到的X射线的能量不是E，而是(E一1. 74) keV，因此在主峰(能量为E)的左侧会出现一个小峰(能量为E-1. 74 keV)，这个小峰就叫做逃逸峰逃逸峰的位置永远比主峰1. 74keV.而且峰高约为主峰的0.1%一1%
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
举报
手机版： 【讨论】请问EDS谱峰一直有Si的峰是什么原因呢？
猜你喜欢最新推荐热门推荐更多推荐
头像
高级回复 发表评论
品牌合作伙伴
岛津
日立科学仪器
珀金埃尔默仪器（上海）有限公司（PerkinElmer）
日本电子株式会社
丹纳赫
安捷伦
赛默飞世尔科技
普析通用
欧波同
天美
天瑞仪器
德国耶拿
海能技术
马尔文帕纳科
磐诺科技
上海仪电科仪
梅特勒托利多
聚光科技
莱伯泰科
盛瀚
多宁生物
丹东百特
科哲
卓立汉光
屹尧科技
华谱科仪
宝德仪器
优莱博
HORIBA
布鲁克核磁