扫描透射电子显微镜 (scanning transmission electron microscopy﹐简写为STEM) 在扫描电子显微镜中﹐一般都是利用从样品表面发出也就是背射的二次电子成像﹐由于要安装各种信号的探测器﹐不得不将样品到物镜的距离加大到约10mm﹐这就使像的分辨率停留在几十埃到一百埃的水平上。如果使用薄膜样品﹐不但在背射方向有二次电子逸出﹐在透射方向也有二次电子逸出。在透射方向安置二次电子探测器就可以使样品位置移到距物镜较近的地方﹐显著提高二次电子像的分辨率。专门设计的扫描透射电子显微镜的分辨率也已达到2~3A的水平﹐在晶体缺陷的衍衬像﹑晶体的点阵像以及单个原子成像诸方面都已达到较高水平。 扫描透射电子显微镜方面比较突出的进展还是在透射电子显微镜中添加电子及X射线探测器﹐变成一个微区成分和微区晶体结构分析的有力工具。将电子束聚焦到样品上﹐不但能观察20~30A的组织形貌细节﹐并可以从X射线能谱分析及电子能量损失谱中得出这么微小区域的化学成分﹐从微区电子衍射得到它的晶体结构数据﹐这是近几年来电子显微学中发展较快的领域﹐称为分析电子显微学(analytical electron microscopy﹐简写为AEM)。 参考书目 郭可信:“电子光学微观分析仪器概述”﹐《显微分析技术资料汇编》﹐1~90页﹐科学出版社﹐北京﹐1978。 P.B.Hirsch﹐A.Howie﹐R.B.Nicholson﹐D.W.Pashley﹐M.J.Whelan﹐Electron Microscopy of Thin Crystals﹐2nd ed.﹐Butterworths﹐London﹐1977. S.Amelinckx﹐R.Gevers﹐J.Van Landuyt﹐Diffraction and Imaging Techniques in Material Science﹐2nded.﹐North-Holland Publishing Co.﹐Amsterdam﹐1978. L. Kihlborg ed.﹐Nobel Symposium 47﹐DirectImaging of Atoms in Crystals and Molecules﹐The Royal Swedish Academy of Sciences﹐Stockholm﹐1979. P.M.Williams﹐Imaging and Microanalysis in STEM﹐in Chemical Physics of Solids and their Surfaces﹐Vo1.8﹐p.84﹐The Royal Society of Chemistry﹐London﹐1980. J.J.Hren﹐J.I.Goldstein﹐D.C.Joy﹐Introduction to Analytical Electron Microscopy﹐Plenum Press﹐New York & London﹐1979.