主题:【原创】3460描迹

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描迹归零:零位对准33,再逆时针旋转3圈,零位对准零位。
1.    看起始位置图(以前的描迹图)确定开始描迹位置。此次根据上次选择起始位置为86。
2.    恢复零位:
A 顺时针转到底。
B 反时针对准零位。
C 反时针转三圈。(前三步用于恢复零位,一般从D步骤做描迹)。
D 固定到起始位置描迹。
3.    选择起始位置时首先反时针转到76左右,再顺时针转到86。确定Average96.5后,再反时针转到86左右,最后顺时针转到96.5。
应用—终端模式
fl  50  终端命令,用Ar气冲洗时间50秒。
fl  20 终端命令,用Ar气冲洗时间50秒,看Ar气流量。
描迹确定的元素为涵盖整个波长范围的代表性元素。此次选择成品分析元素。

辅助电极间隙:3.3-3.4mm


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hontec
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这种描迹麻烦点了

OBLF自动扫描好,不用人干预

康诚是手动,从起始位置,激发样品、转动鼓轮10几次,就可以了
qiteboy
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NiMoCrCu
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eclipseevo
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那是標準程序,很想開保險庫的方式,其實還有更簡單的方法可以用.
zhw1112
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原文由 eclipseevo 发表:
那是標準程序,很想開保險庫的方式,其實還有更簡單的方法可以用.

更简单的方法?介绍下 谢谢
Insm_2b2cea46
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wccd
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原文由 Insm_2b2cea46(Insm_2b2cea46) 发表:
尖细  3.2-3.5行吗


各厂家电极样品间隙各有差异,只要激发能出正常数据,应该问题不大。
另外还有样品材质、曝光时间、光源激发电流、氩气纯度等因数也会影响数据结果的。
手机版: 【原创】3460描迹
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