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主题：【分享】RIC7S113A4功率MOSFET和IGBT驱动器

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发表于：2024/05/28 09:53:02 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
RIC7S113：抗辐射高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于太空等环境。
VOFFSET (max) = 400 V

VCC = 10 V to 20 V

VDD = 5 V to 20 V

IOUTA/B source/sink (typ) = 2 A / -2 A

ton (typ) = 120 ns

Toff (typ) = 100 ns

MT (typ) = 5 ns

TJ = -55°C to 125°C

功能特点：

1. 独立高低侧栅极驱动器，±5V偏置电压。

2. 节省空间和重量，无需栅极驱动变压器。

3. 欠压锁定、CMOS施密特触发输入。

4. 匹配传播延迟、边沿触发、集成电平转换。

5. 密封包装、抗辐射、单粒子效应硬度。

6. 安全工作区定义、瞬态抗扰度。

7. 应用：卫星、功率调节、配电、DC-DC转换、电机驱动。更多相关产品信息请访问立维创展ldteq.com

Orderable part
number		Package typeDevice classTotal ionizing
dose leve		Temperature
range  (℃)
RIC7S113A4SCSFlatpackLevel  S1100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113A4SCBFlatpackLevel  B1100krad(Si-55 to 125
RIC7S113A4FlatpackCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113C4CDKDieClass  K1100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113C4CDHDieClass  H2100krad(Si-55 to 125
RIC7S113C4CDVDieVisual Inspection Only100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113E4SCSLCC CICLevel S'100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113E4SCBLCC CICLevel Bl100krad(Si-55 to 125
RIC7S113E4LCC CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113L4SCSMO-036AB CICLevel S100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113L4SCBMO-036AB CICLevel  B1100krad(Si-55 to 125
RIC7S113L4MO-036AB CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113EVAL1Evaluation Board
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