主题：【原创】CVD和 PECVD技术

诺巴迪材料2019-03-22 12:39:01楼主

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今天和大家聊聊pecvd(等离子增强化学气象沉积)
pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition)等离子增强化学气相沉积，在了解pecvd之前，先来了解一下什么是cvd.
cvd是化学气象沉积，高温下的气相沉积，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程，这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等。
具有以下显著特点：1高熔点物质低温合成，降低了工艺的要求2可以生成单晶，多晶，粉末，薄膜3不仅可以在基片上涂层，也可以在粉底上涂层。
在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用cvd方法制备，在实验室当中一般选择管式法采用cvd制备，如图1所示
优点(1)在中温和高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体;

? ?? ? (2)可以在大气压(常压)或者低于大气压下进行沉积,一般说低压效果更好些;

? ?? ? (3)采用等离子和激光辅助技术可以显著促进化学反应,使沉积可在较低的温度下进行;
?? ???(4)可以控制沉积速率，纯度和密度。
缺点(1)主要缺点是反应温度较高,沉积速率较低(一般每小时只有几μm到几百μm),难以局部沉积;?
??? ?(2)参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性;

接下来了解什么是pecvd
pecvd比cvd多了增强。是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种cvd称为等离子体增强化学气相沉积。（仔细品味这句话），这种工艺更加复杂。但是效率更高。

pecvd
优点 基本温度低;沉积速率快;成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。（仔细品味）
缺点(1)设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高;
?      (2).涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害