原文由 renxin 发表:
1,SEM图像的反差只能是黑白的,所以你问黑白反差。。。
2,SEM样本室内的不同的探测器收集不同的信号,所有信号都是由一次入射电子引发的,图像信号是最普遍的一种。
3,一次电子打在样本上,反射出不同的电子,基本上反射出电子多的地方就较亮,被激发出较少电子的地方就较暗, 法拉第杯就是全黑
4,弹性散射和非弹性散射所产生的电子都可以产生反差,弹性散射产生背散射电子, 背散射电子反映成分反差,非弹性散射产生二次电子,二次电子和背散射电子共同反映了形貌反差
5,只有在场发射电镜镜筒中的电子检测器才能收集到纯二次电子信号,一般我们称ET探测器为二次电子检测器, 但是它收集的是30%的二次电子和70%的背散射电子,在加上这种探测器的检测角度,最容易检测形貌反差
6,闪烁体式背散射电子检测器主要检测成分反差, 硅片固体式背散射电子检测器可以通过不同的设置检测到成分反差和形貌反差
原文由 guanjun19860820 发表:
3,一次电子打在样本上,反射出不同的电子,基本上反射出电子多的地方就较亮,被激发出较少电子的地方就较暗, 法拉第杯就是全黑
这句话我不能理解,请说详细一点!谢谢!
原文由 renxin 发表:
1,SEM图像的反差只能是黑白的,所以你问黑白反差。。。
2,SEM样本室内的不同的探测器收集不同的信号,所有信号都是由一次入射电子引发的,图像信号是最普遍的一种。
3,一次电子打在样本上,反射出不同的电子,基本上反射出电子多的地方就较亮,被激发出较少电子的地方就较暗, 法拉第杯就是全黑
4,弹性散射和非弹性散射所产生的电子都可以产生反差,弹性散射产生背散射电子, 背散射电子反映成分反差,非弹性散射产生二次电子,二次电子和背散射电子共同反映了形貌反差
5,只有在场发射电镜镜筒中的电子检测器才能收集到纯二次电子信号,一般我们称ET探测器为二次电子检测器, 但是它收集的是30%的二次电子和70%的背散射电子,在加上这种探测器的检测角度,最容易检测形貌反差
6,闪烁体式背散射电子检测器主要检测成分反差, 硅片固体式背散射电子检测器可以通过不同的设置检测到成分反差和形貌反差
原文由 yuhongchun 发表:原文由 renxin 发表:
1,SEM图像的反差只能是黑白的,所以你问黑白反差。。。
2,SEM样本室内的不同的探测器收集不同的信号,所有信号都是由一次入射电子引发的,图像信号是最普遍的一种。
3,一次电子打在样本上,反射出不同的电子,基本上反射出电子多的地方就较亮,被激发出较少电子的地方就较暗, 法拉第杯就是全黑
4,弹性散射和非弹性散射所产生的电子都可以产生反差,弹性散射产生背散射电子, 背散射电子反映成分反差,非弹性散射产生二次电子,二次电子和背散射电子共同反映了形貌反差
5,只有在场发射电镜镜筒中的电子检测器才能收集到纯二次电子信号,一般我们称ET探测器为二次电子检测器, 但是它收集的是30%的二次电子和70%的背散射电子,在加上这种探测器的检测角度,最容易检测形貌反差
6,闪烁体式背散射电子检测器主要检测成分反差, 硅片固体式背散射电子检测器可以通过不同的设置检测到成分反差和形貌反差
显示图像细节的明暗度不同称为衬度反差
亮度反差定义
C=Bmax/Bmin, 应在15-40之间,这时图像令人感觉良好
样品的表面状态,包括表面几何形貌、组织结构,元素的物理化学性质,表面电磁场都会影响电子产率,引起图像衬度反差
扫描图像的信号来源于主要是二次电子和少部分背发射电子
二次电子象信号强度I=I0{ X· f+∫ Y( z) cosθd θ}
X二次电子产生系数,试样表面高低不平造成几何差异
形成的衬度效应,样品高低不平对二次电子的遮挡
因此二次电子象信号与试样表面形貌密切相关
f二次电子收集系数,反映试样表面电位差异显示的衬度
探测器收集极电压 ,探测器方位,样品的倾斜角度
Y( z)背发射系数,试样各部分间成分差异所显示的衬度
效应通过背发射系数来反映Y( z)=a㏑z,它是原子序数的函数