主题：能谱仪的校正问题

原文由 newkingtor 发表:
我觉得这和锂漂移硅关系不大,因为锂漂移硅和冷指相连,一直处于低温,工作应该稳定（个人观点，未求证）。和电子线路的稳定性有莫大的关系，而电子线路中最不可靠的就是放大器，放大器都有温漂，即随温度有微小变化。能谱中的两个放大器--前置放大器和主放大器，由于前置放大器和探测器一样处于低温室中，所以其温漂可忽略；而主放大器处于室温环境，在工作一段时间后，其温度或可上升，从而引起温漂效应，在能谱上就反应为峰的漂移。

原文由 quanwei315 发表:
晕！峰位的漂移不仅仅和温度有关。oxford和EDAX模拟脉冲处理器EDX由于硬件电路简单，没有零点稳定电路。所以需要经常校准峰位。

原文由 quanwei315 发表:

晕！峰位的漂移不仅仅和温度有关。oxford和EDAX模拟脉冲处理器EDX由于硬件电路简单，没有零点稳定电路。所以需要经常校准峰位。

原文由 newkingtor 发表:
高人,具体指点一下啊!

原文由 newkingtor 发表:
我觉得这和锂漂移硅关系不大,因为锂漂移硅和冷指相连,一直处于低温,工作应该稳定（个人观点，未求证）。和电子线路的稳定性有莫大的关系，而电子线路中最不可靠的就是放大器，放大器都有温漂，即随温度有微小变化。能谱中的两个放大器--前置放大器和主放大器，由于前置放大器和探测器一样处于低温室中，所以其温漂可忽略；而主放大器处于室温环境，在工作一段时间后，其温度或可上升，从而引起温漂效应，在能谱上就反应为峰的漂移。

原文由 SeanWen 发表:
前置放大器是否应该紧跟着Si（Li）晶体后面。

原文由 renxin 发表:

原文由 SeanWen 发表:
前置放大器是否应该紧跟着Si（Li）晶体后面。

应该不对，  能谱探头只有一个 放大器， 就是  前置  放大器          (PRE-AMP)， 其实就是提到的主放大器。
SI(LI)晶体后面的  放大单元  叫  场效应晶体管  (FIELD EFFECT TRANSITOR)， 除了放大功能之外，      更重要的是          做  复位和 晶体加温， 但不是一个放大器。
牛津的  FET是专利， 叫  PENTAFET， 就是五脚晶体管的意思。

原文由 SeanWen 发表:
但看EDAX给我们的英文资料上说是有一个Preamplifier跟一个主放大器，FET是Preamplifier的一个东西也。