其实不同的设备之间分辨率差别不是相同的,这和设计有很大关系,另外,同一台SEM在不同加速电压下的分辨率本身也不是线性的变化关系,这和电子光学系统的设计有很大关系,例如FEI目前最好的SEM分辨率指标来说,如果大家看到了可能觉得更不可思议了:1~30kV条件下的分辨率全是差不多的(http://www.fei.com/uploadedFiles/Documents/Content/2008_08_Magellan_bro.pdf)实际上这的确是实测的结果,有时候理论计算的结果和实际结果会有比较大的不同,大部分原因是因为计算的时候不可能把所有的因素全考虑进去。对于大部分SEM而言,加速电压越低的时候分辨率下降会越快,一方面这时候色差所引起的影响急剧变大,另一方面是电子在样品中的散射能力和加速电压的平方成反比,说得再直接一点,单看变化本身,30kV到25kV电压变化是5kV,2kV到1kV的变化是1kV,可对光学系统而言后者的变化已经达到了一倍,总的来说,这些问题本身已经不再能够从直观的几个参数来得到正确的理解了。再考虑一个更极端的情况,当电压从1kV再往下降,到500V,50V,0V,这种变化会更明显的,低于50V好象根本就看不到图像了,这样外延一点点可能就更清楚一点了。
另外一件事就是,我们对问题的看法不同可以去查一些资料多了解一下,骂人是不能得到正确的理解和认识的,至少我是这样认为的,到论坛上来的全是管理高科技设备的吗,不要让人觉得我们这个群体如何如何我觉得对所有人的脸面还是有点好处吗,呵呵
原文由 wildonkey 发表:
原文由 sem_kuangren 发表:
最近我们老师调研FEI的Quanta场发射电镜Quanta650的标准分辨率为
1nm @30kV 3nm @1kV
老师提出低的加速电压下(5kV下)要达到2nm(要做某项研究), FEI的销售人员说他们Quanta650在2kV下的分辨率可达到2nm.
大家来评评, 我觉得有点可笑之极. 1nm---30kV 2nm----2kV 3nm----1kV ??? 而且又没有什么减速模式之类的, 公司的信誉在哪里呢.
减速模式下2nm@2kv貌似是可以达到的,看FEI网站上quanta50的资料,减速模式下1kv可到2.3nm:
Electron Beam resolution
• High vacuum
- 0.8 nm at 30 kV (STEM)*
- 1.0 nm at 30 kV (SE)
- 2.5 nm at 30 kV (BSE)
- 3.0 nm at 1 kV (SE)
• High vacuum with beam deceleration option
- 3.0 nm at 1 kV (BD mode* + BSE)
- 2.3 nm at 1 kV (BD mode* + ICD*)
- 3.1 nm at 200 V (BD mode* + ICD*)
• Low vacuum
- 1.4 nm at 30 kV (SE)
- 2.5 nm at 30 kV (BSE)
- 3.0 nm at 3 kV (SE)
• Extended vacuum mode (ESEM)
- 1.4 nm at 30 kV (SE)