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主题：【已应助】求助文献三篇

浏览0 回复5 电梯直达
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发表于：2010/05/19 12:49:33 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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1. High quality GaN film overgrown on GaN nanorods array template by HVPE.
    H.F.Lu, G.H.Yu, C.T.Lin, X.Z.Wang,et al.
      Materials Letters
      Volume 64, Issue 13, 15 July 2010, Pages 1490-1492
   http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TX9-4YTFBFF-2&_user=10&_coverDate=07%2F15%2F2010&_rdoc=1&_fmt=high&_orig=search&_sort=d&_docanchor=&view=c&_acct=C000050221&_version=1&_urlVersion=0&_userid=10&md5=6ad3a944f3f9274e0f71bfc21d75247d

2. High temperature chemical and physical changes of the HVPE-prepared GaN semiconductor
     Mariusz Drygas,Miroslaw M. Bucko, et al.
       Materials Chemistry and Physics
       Volume 122, Issues 2-3, 1 August 2010, Pages 537-543
http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TX4-4YWBBJW-2&_user=10&_coverDate=08%2F01%2F2010&_rdoc=1&_fmt=high&_orig=search&_sort=d&_docanchor=&view=c&_acct=C000050221&_version=1&_urlVersion=0&_userid=10&md5=bf355313118c275796411f270424b45c

3. Metalorganic vapor phase epitaxy of InN on GaN using tertiary-butylhydrazine as nitrogen source
    Raimund Kremzow, Markus Pristovsek, et al.
    Journal of Crystal Growth
Volume 312, Issues 12-13, 1 June 2010, Pages 1983-1985
http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TJ6-4YNC1W7-1&_user=10&_coverDate=06%2F01%2F2010&_rdoc=1&_fmt=high&_orig=search&_sort=d&_docanchor=&view=c&_acct=C000050221&_version=1&_urlVersion=0&_userid=10&md5=9dbf6377bd99b872ea1d72c3f4d1da4e
推荐答案：asramansha回复于2010/05/19
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知而後行回复于2010/05/19

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灰米奇回复于2010/05/19

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