主题:【讨论】问一个理论的问题。

浏览0 回复24 电梯直达
tebeto
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我们都知道当电子束射到样品表面会激发出3中不同的二次电子。 SE1, SE2和SE3。其中SE1是电子束与材料作用直接产生的, SE2 是电子束与材料作用产生背散射电子,而背散射电子又于材料作用而产生。

如下图,BSE在在物质1处激发的,而后,这个BSE 又激发出了SE2, 请问, 这个SE2 能否反应出来自物质1 的信息, 还是SE2 只能反应物质2 的信息, 而于物质1没有任何关系。
我个人觉得是只能反映物质2的信息, 因为SE2 只是有物质2出激发的。但是和一个同时争论,他觉得能反应出物质1的信息。
请高手解答下, 谢谢


我做的材料是高分子与碳纳米管的复合材料。由于高分子与碳纳米管的主要元素都是碳, 我尝试用BSE模式看,但是没有衬度。我想是他们都含碳, 所以衬度 不明显。是不是有另一种可能是, 虽然都含碳, 但是高分子中还有H和O, 所以高分子和碳纳米管还是有衬度的, 而我没看到,只是因为我操作不好呢。 谢谢了。
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驰奔
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se2的存在,降低了物质1和物质2之间的反差。

只要存在,就是有害的背底噪音
根据存在量的多少,通过选择合适的观察条件,可以主动避免~
该帖子作者被版主 dct19831积分, 2经验,加分理由:没有回答全
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2010/6/8 2:47:32 Last edit by srd2009
tebeto
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"se2的存在,降低了物质1和物质2之间的反差"是不是就默认了SE2能够反应出 物质2的信息呢。

再麻烦楼上解答第二个问题,就是 碳纳米管和高分子材料在BSE模式下会有衬度吗,他们都含有很多的碳元素。谢谢
fengyonghe
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1        二次电子从物质1产生之后只有直接逸出才能具有物质1的信息,SE1逸出前与物质的任何碰撞都将失去物质1的信息。SE2仅带有物质2的信息。他是SE1的干扰信号。
2        你只注意到了C的背散射电子,其实高分子中的H、O同样可以产生背散射电子。从原子序数看,碳纳米管和高分子所产生的背散射电子强度几乎没有差别。
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2010/6/8 20:15:55 Last edit by fengyonghe
tebeto
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感谢楼上的解释, 请问楼上对问题1的解答是看了什么书或什么资料, 能否告诉我。我必须得有充分的材料才能说服那个同事。谢谢。

另外,第二个问题,高分子中确实有H和O, 但是C 的含量也很大。
其实我试过用BSE模式看这个碳纳米管/高分子复合材料,我没有看到不同的衬度。我想可能是而者都有碳的缘故。
虽然高分子中有O,但是O 的C的原子序数差不多,所以也很难分辨。我想这就是我看不到衬度的原因。
请问楼上认同吗
fengyonghe
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我前面说“他是SE1的干扰信号。”SE2若被二次电子检测器检测到就成为该点二次电子像的像素。它叠加在SE1上。
问题1 不需要也不可能有直接材料。SE2就是物质2的二次电子。原来那个背散射电子不可能把原子序数信息传递给SE2,它仅仅是能量大于二次电子而已。
问题2 认同你的看法,如果能算出平均原子序数更好说名问题。
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2010/6/9 1:02:10 Last edit by fengyonghe
tebeto
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关于问题1我的, 想法和楼上一样。但是那个同事就是坚持他的看发。真是没有办法了。
其实有一个问题可说明这个问题。
一次电子还可以激发SE3, SE3是和样品室里的物体, 比如探头,或pole piece 作用产生的。 那么这里的SE3是不是无法反应出关于样品的任何信息, 而只是反映的探头,或pole piece 的信息呢, 也就是说SE3和样品一点关系都没有, 而纯粹是干扰信号。

如果是这样的,我们同样可以认为SE2只反映物质2 的信息

这就是SE 所反映的信息只是产生SE的物质的信息,而和激发SE的电子源没有任何关系是吧

再次感谢楼上的探讨
fengyonghe
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tebeto
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感谢讨论,能否看看我的另一个贴子, 叫 "请教 inlens detector 问题", 帮助解答一下, 感谢了
fengyonghe
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从二次电子图像应该避免干扰来看,SE3是需要屏蔽掉的。我认为SE2也应该屏蔽。理由是,虽然SE2被检测后也形成二次电子像素,但与SE1不是同一点的像素。也就是在SE1上叠加了SE2.造成干扰。
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2010/6/9 0:57:36 Last edit by fengyonghe
tebeto
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