主题:【原创】好久不来,发几篇今年做的文章

浏览0 回复28 电梯直达
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sendtony6
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再提一個問題~

你們在做SR-EELS時~如何知道slit與aperture的位置確實是在

on focus上?

以及如果你們試片會累積電荷~你們會鍍碳?

最後~如果可以的話~是否能給我你學姐的eamil!~方便交流
xinhuolin
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做HAADF-STEM和EELS, 我的师伯C. H. Chen现在在台湾国立大学,他手下的人也都做得非常好。

另外,我们的200kV Tecnai F20是没有corrector的,就是200kV的FEG S/TEM。得到HAADF原子像非常容易,主要是因为我们的room environment好,另外我们的F20的scan system是我们自己改过的,scan noise非常小,基本可以和Titan比。当年FEI就是基于我们的design重新设计的Titan。在没有改过scan的electronics之前,FEI在STEM上远远落后于JEOL。

制样(制备试片)我们绝大多数用multiprep polishing,小部分不能研磨的样品用FIB,我们的试片可以达到少于2nm的amorphous damage layer。

2-D atomic resolution EELS mapping现在可以像我们一样出结果的组只有另外3个(bleloch, pennycook, boton),我们的Nion UltraSTEM是专门为了EELS优化过的,而且这是一台dedicated STEM(就是不能做TEM)。

我师姐要离开一年去德国学cryo-EM,然后回到Cornell的应用物理系做教授。

原文由 sendtony6(sendtony6) 发表:

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

你們有Cs corrector?~那有這樣的結果確實不意外~

是Tecnai內建Cs那一台嗎?

對岸的研究投資真是大手筆~對於沒有Cs corrector的TEM要能做出HR-HADDF難度很高~

FEI的機台果然是強大~

不過你們的試片作的相當不錯~

你們試片是FIB切的?還是手磨?

SR-EELS其實不會很難得到~難的是如何解釋以及你們的data base的建立~

我對於整個EELS的背景知識還相當薄弱~

順道一問~你學姐是要去康乃爾的地質系嗎?
xinhuolin
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是的,如果charging,会deposit carbon的。最简单的方法就是用FIB制备,charging会减轻很多。当然有些样品非常容易damage,就必须用polishing,然后必须deposit carbon。

给你看一些我拍的图 http://xinhuolin.web.officelive.com/ImageGallery.aspx, 你有问题就问我吧,hx35@cornell.edu。

原文由 sendtony6(sendtony6) 发表:
再提一個問題~

你們在做SR-EELS時~如何知道slit與aperture的位置確實是在

on focus上?

以及如果你們試片會累積電荷~你們會鍍碳?

最後~如果可以的話~是否能給我你學姐的eamil!~方便交流
learner1999
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xinhuolin
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不敢不敢
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仰视一下!
sunshine-baby
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xindaxiang2
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这个就算了吧。

A new spin on electron beams
Huolin L. Xin and David A. Muller
Nature Nanotechnology 5, 764, (2010) (reprint)
sendtony6
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那你們微機電跟電路控制等技術已經優於日本~

敢去改機台的~你們大概是碩果僅存...

厚度小於2nm~這有點誇大了...要做HR-HADDF不需要非常薄的試片(太薄反而沒有好處)~

需要的是非常乾淨的表面~

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