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主题：【已应助】五篇英文文献求助，多谢

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andylool
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发表于：2010/12/28 11:08:42 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
【序号】：1
【作者】：Xinming Huang, Tsuyoshi Sato, Masami Nakanishi, Toshinori Taishi1 and Keigo Hoshikawa1
【题名】：High Strength Si Wafers with Heavy B and Ge Codoping
【期刊】：Jpn. J. Appl. Phys
【年、卷、期、起止页码】：卷: 42    期: 12B       页: L1489-L14911    出版年:DEC 15 2003
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/42/L1489/

【序号】：2
【作者】：Toshinori Taishia, Xinming Huangb, Ichiro Yonenagac and Keigo Hoshikawaa
【题名】：Dislocation-free Czochralski Si crystal growth without a thin neck: dislocation behavior due to incomplete seeding
【期刊】：Journal of Crystal Growth
【年、卷、期、起止页码】：卷: 258    期:1-2        页: 58-64    出版年: Oct.2003
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/42/L1489/

【序号】：3
【作者】：Yonenaga, I; Taishi, T; Huang, X, et al.
【题名】：Dynamic characteristics of dislocations in Ge-doped and (Ge+B) codoped silicon
【期刊】：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   
【年、卷、期、起止页码】：卷: 93   期:1       页: 265-269    出版年: Jan 1 2003
【全文链接】：http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v93/i1/p265_s1?isAuthorized=no


【序号】：4
【作者】: Huang, XM; Taishi, T; Yonenaga, I, et al.
【题名】：Dislocation-free Czochralski silicon crystal growth without dash necking
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   
【年、卷、期、起止页码】：卷: 40   期:1       页: 12-17    出版年: JAN  2001
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/40/12/

【序号】：5
【作者】：Xinming Huang, Toshinori Taishi, Ichiro Yonenaga1 and Keigo Hoshikawa
【题名】：Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without Dash Necking Using a Heavily B and Ge Codoped Si Seed
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS  
【年、卷、期、起止页码】：卷: 39   期:11B      页: L1115-L1117    出版年: Nov 15  2000
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/39/L1115/
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2010/12/28 13:08:17 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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2010/12/28 13:08:30 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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