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主题：【已应助】求助一篇英文文献

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andylool
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发表于：2010/12/29 14:20:24 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
【序号】：1
【作者】：Taishi T, Huang XM, Fukami T, Hoshikawa K
【题名】：Dislocation-free Czochralski Si crystal growth without the Dash-necking process: Growth from undoped Si melt
【期刊】： JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   
【年、卷、期、起止页码】：卷: 39    期: 3AB      页: L191-L194    出版年:MAR 15 2000
【全文链接】：http://apps.isiknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=3EM1dLa5fDPOBmjFE3N&page=1&doc=2&colname=WOS
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2010/12/29 14:28:29 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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